| 主权项 |
1.一种制作金属氧化物场效电晶体于半导体基板中之方法,该方法至少包含下列步骤:形成一垫氧化层于该基板上;植入扩散阻障层离子于该基板以及该垫氧化层中;第一次热处理该基板,用以扩散该阻障层离子至该基板之表面中;除去该垫氧化层;形成闸极氧化层于该基板表面,藉由位于该基板表面之该阻障层离子掺入该闸极氧化层中,以构成扩散阻障层;形成至少一层非结晶矽层于该闸极氧化层之上,以构成一堆叠非结晶矽层;图案化该堆叠非结晶矽层,以形成闸极结构;形成源极结构与汲极结构于该闸极结构两侧下方之该基板中;以及第二次热处理该闸极结构与该基板,以使得该堆叠非结晶矽闸极转换为复晶矽闸极,并形成浅接面源极与浅接面汲极于该基板内。2.如申请专利范围第1项之方法,于该形成源极结构与汲极结构之步骤前,更包含下列步骤:植入离子于该基板中,以形成该源极结构与该极结构之轻掺杂区域;形成一介电层于该闸极结构上;以及蚀刻该介电层以形成间隙壁于该闸极结构的侧壁上。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之扩散阻障离子包含氮离子。4.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之氮离子的的植入剂量系少于51014cm-2,而其植入能量则约介于5-30KeV之间。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之闸极氧化层的厚度约在10-100A之间。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之垫氧化层的厚度约在50-200A之间。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一次热处理之温度约介于700-1000℃之间。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之堆叠非结晶矽层系由三层之该非结晶矽层所组成,而每一该非结晶矽层的厚度约在200-1000A之间。9.一种制作金属氧化物场效电晶体于半导体基板中之方法,该方法至少包含下列步骤:形成闸极氧化层于该基板上;以氮电浆处理该基板,以形成氮化闸极氧化层,用以作为扩散阻障层;形成至少一层非结晶矽层于该闸极氧化层之上,以构成一堆叠非结晶矽层;图案化该堆叠非结晶矽层,以形成闸极结构;形成源极结构与汲极结构于该闸极结构两侧下方之该基板中;以及热处理该闸极结构与该基板,以使得该堆叠非结晶矽闸极转换为复晶矽闸极,并形成浅接面源极与浅接面汲极于该基板内。10.如申请专利范围第9项之方法,于该形成源极结构与汲极结构之步骤前,更包含下列步骤:植入离子于该基板中,以形成该源极结构与该极结构之轻掺杂区域;形成一介电层于该闸极结构上;以及蚀刻该介电层以形成间隙壁于该闸极结构的侧壁上。11.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之氮电浆系由电感耦合电浆(ICP)系统所产生。12.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之氮电浆系由电子环绕共振(ECR)系统所产生。13.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之堆叠非结晶矽层系由三层之该非结晶矽层所组成,而每一该非结晶矽层的厚度约在200-1000A之间。图式简单说明:第一图A为本发明中于半导体基板上形成垫氧化层之结构剖面示意图。第一图B为本发明中植入氮离子于垫氧化层与半导体基板中之结构剖面示意图。第一图C为本发明中于半导体基板上形成闸极氧化层与堆叠非结晶矽层之结构剖面示意图。第一图D为本发明中形成闸极结构,以及源/汲极之轻掺杂区域的结构剖面示意图。第一图E为本发明中形成间隙壁与源/汲极结构之结构剖面示意图。第一图F为本发明中对半导体结构施以热处理以形成浅接面之结构剖面示意图。第二图A为本发明中于半导体基板上形成氮化闸极氧化层之结构剖面示意图。第二图B为本发明中于氮化闸极氧化层之上堆叠非结晶矽层之结构剖面示意图。第二图C为本发明中形成闸极结构,以及源/汲极之轻掺杂区域的结构剖面示意图。第二图D为本发明中形成间隙壁与源/汲极结构之结构剖面示意图。第二图E为本发明中对半导体结构施以热处理以形成浅接面之结构剖面示意图。 |
