使用可抹除非依电性记忆体储存变化资讯之技术

摘要

本案的非依电性写一次记忆体(106、108、l10)被用来储存可变资料;在一例示实施例中，分段的快闪记忆体被使用，其中个别部段可被抹除;至少两个部段被使用;当一部段几近充满时(222)，或当部段错乱(224)时，最晚近的值被写入一新部段(226);在初始化期间，所有关心的变数以内定值(204)被写入RAM中;正被使用的快闪部段从最旧输入至最新输入被顺序读取，且来自快闪记忆体的值被使用来覆写数值(或指标值)至RAM(216)中;然后RAM包含(或指向至)供每一变数用的最新近的值;当一新的部段被写入时，使用来自RAM(236)的值来写入此新部段;本方法为资讯之各经储存项目提供最晚近(目前)的值之辨识，提供增加新型式之资料并删除旧型式之资料，当一记忆体部段充满时提供动作，并提供从电力故障的恢复。

主权项

1.一种把资料储存在非依电性记忆体(106.108.110)中 的方法,该记忆体系可抹除但不可覆写,该方法包 含有下列步骤: (a)界定(204)在依电性记忆体中的一位置供资料用; (b)当该资料改变时,把该资料覆写在该依电性记忆 并把一新形式之该资料写入该非依电性记忆体之 一第一可抹除部分中; (c)判定(222)该非依电性记忆体之该第一部分是否 几乎充满;及 (d)当经判定该非依电性记忆体之该第一部分几乎 充满时,把该资料从该依电性记忆体复制(234)到该 非依电性记忆体之一第二可抹除部分。2.依据申 请专利范围第1项的方法,其更包含有在步骤(a)后 的下列步骤: (a1)把一内定値指定(204)给在该依电性记忆体中的 资料; (a2)从该非依电性记忆体读取(216)该资料;及 (a3) 以从该非依电性记忆体读取的値覆写(216)在该 及电性记忆体中的该値。3.依据申请专利范围第1 项的方法,其更包含有在步骤(a)后的下列步骤: (a1)判定(210)该非依电性记忆体之该两个可抹除部 分可能都含有该资料;及 (a2)判定(214)在步骤(a1)中办识的该两个可抹除部分 中之一先被写入,并指定该部分作为供在步骤(b)中 使用的一第一可抹除部分。4.依据申请专利范围 第1项的方法,其中步骤(b)更包含下列步骤: (b1)指定在该非依电性记忆体之该第一可抹除部分 中一记忆体位置作为一辨识位置; (b2)把该资料写入该非依电性记忆体之该第一抹可 除部分的该辨识位置后面;及 (b3)把对应于该资料的一辨识写入该辨识位置中。 图式简单说明: 第一图系依据本发明的一基于处理器之系统的方 块图; 第二图A系依据本发明图说设定起始条件的一方法 之一流程图的一第一部分; 第二图B系依据本发明图说把资料从非依电性记忆 体复制到RAM的一方法之流程图的一第二部分; 第二图C系继续第二图B说明切换部段之一流程图; 及 第二图D系提供用于第二图C之方块226的额外细节 之一流程图。