| 发明名称 | 离子注入方法和离子注入设备 | ||
| 摘要 | 离子注入设备包括一个注入控制装置26a,它具有由扫掠磁体12扫掠离子束的功能和由扫描机构扫描目标的功能。注入控制装置26a具有以下功能:根据离子束的种类和能量中的至少一个参数,改变要由所述扫掠磁体扫掠的离子束的扫掠频率;根据扫掠频率的改变,改变要由所述扫描机构扫描的目标的最低扫描次数。 | ||
| 申请公布号 | CN1304165A | 申请公布日期 | 2001.07.18 |
| 申请号 | CN00137248.3 | 申请日期 | 2000.12.28 |
| 申请人 | 日新电机株式会社 | 发明人 | 滨本成显;松本贵雄 |
| 分类号 | H01J37/36;C23C14/48 | 主分类号 | H01J37/36 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李亚非 |
| 主权项 | 1．一种离子注入设备，包括：一个扫掠磁体，用于在磁场的作用下在X方向上扫掠离子束；一个扫描机构，用于在离子束的扫掠范围内，在垂直于所述X方向的Y方向上以机械方式扫描目标；和一个注入控制装置，它根据离子束的离子种类和能量中的至少一个参数，改变要由所述扫掠磁体扫掠的离子束的扫掠频率，并且根据扫掠频率的变化，改变要由所述扫描机构扫描的目标的最低扫描次数。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||