| 摘要 |
<p>본발명의 목적을 달성하기 위하여, 메모리 셀들과 주변회로 소자로 구성되는 반도체 메모리 소자에 있어서, 상기 메모리 셀은 반도체 기판(500)상에 형성된 턴넬 산화막(502)과, 상기 턴넬 산화막(502) 위에 형성된 플로팅 게이트 전극(503)과, 상기 플로팅 게이트 전극(503) 위에 형성된 층간 절연막(504)과, 상기 층간 절연막(504) 위에 형성된 제어 게이트 전극(505)과, 상기 제어 게이트 전극의 일측 반도체 기판내에 형성된 상대적으로 불순물의 농도가 높은 제1 고농도 불순물 영역과(501a), 상기 제어 게이트 전극의 다른측 반도체 기판내에 형성되고 상기 제1 고농도 불순물 영역과 같은 정도의 불순물 농도를 갖는 제2 고농도 불순물 영역(501b)과, 상기 반도체 기판내에 상기 제2 고농도 불순물 영역(501b)과 상기 제어 게이트 전극의 일측 끝 사이에 형성된 상기 제1 및 제2 고농도 불순물 영역(501a, 501b)에 비해 상대적으로 불순물 농도가 낮은 저농도 불순물 영역(501c)과, 상기 반도체 기판내에 상기 저농도 불순물 영역(501c) 근방에 형성된 할로 이온주입층(501d)을 구비하고 있고, 상기 주변회로 소자는, 그 소스 및 드레인 근방에 할로 이온주입층 및 LDD영역을 갖추고 있는 것을 특징으로 한다.</p> |
