| 摘要 |
<p>본 발명은 공정을 보다 간략화하는데 적당한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 반도체 소자는 복수개의 셀 트랜지스터를 구비한 반도체 메모리장치에 있어서, 반도체 기판과, 상기 기판에 선택적으로 형성된 액티브 영역들과, 상기 액티브 영역이 형성된 방향을 따라 상기 액티브 영역의 일측에 형성된 비트라인들과, 상기 비트라인과 비트라인 사이의 상기 액티브 영역 상측에서 상기 액티브 영역과 전기적으로 연결되는 스토리지 노드 플러그와, 상기 스토리지 노드 플러그 상부에서 상기 스토리지 노드 플러그와 일체형으로 형성되는 섬 모양의 스토리지 노드전극을 포함하여 구성되고, 본 발명의 반도체 소자 제조방법은 반도체 기판에 선택적으로 액티브 영역을 정의하는 공정과, 상기 액티브 영역이 형성된 방향을 따라 상기 액티브 영역의 일측에 비트라인들을 형성하는 공정과, 상기 비트라인을 포함한 기판 전면에 도전성 물질을 형성하는 공정과, 상기 도전성 물질을 패터닝하여 상기 비트라인과 비트라인 사이의 상기 액티브 영역 상측에서 상기 액티브 영역과 전기적으로 연결되는 스토리지 노드 플러그 및 상기 스토리지 노드 플러그와 일체형의 스토리지 노드전극을 형성하는 공정으로 이루어진다.</p> |
