| 主权项 |
1.一种电浆处理装置,系使用电浆而对被处理体施予电浆处理之装置,其构成特征在于包含有:一气密之处理室,系形成在处理容器内;支撑部材,系支撑配设在前述处理室内之前述被处理体之用;供给系统,系供给处理气体至前述处理室内之用;排气系统,系将前述处理室内排气之同时,设定前述处理室为真空之用;RF天线,系激起供给在前述处理内之前述处理气体,并使其电浆化而形成RF电场之用;电源,系对前述RF天线供给RF电力之用;介在壁,系具有对于前述处理室所露出之露出内面,并且,介在于前述处理室与前述RF天线之间;而前述介在壁尚具有:基体,系在基本上由介电体所成;及发热元件,系分散在前述基体并依前述RF电场而使其本体发热。2.如申请专利范围第1项所记载之电浆处理装置,其中,前述介在壁乃由烧结体所形成。3.如申请专利范围第2项所记载之电浆处理装置,其中,前述介电体在基本上乃由氧化铝(矾土)陶瓷所成;而前述发热元件在基本上乃由迁移金属氧化物之盐所成。4.如申请专利范围第1项所记载之电浆处理装置,其中,前述发热元件在基本上乃由导电体所成。5.如申请专利范围第1项所记载之电浆处理装置,其中,前述发热元件在前述基体内具有浓度梯度,为使在前述露出之内面侧,前述发热元件之浓度能提高。6.如申请专利范围第1项所记载之电浆处理装置,其中,前述介在壁形成为前述处理容器之天井;而前述RF天线配置在前述处理容器外。7.如申请专利范围第1项所记载之电浆处理装置,其中,前述介在壁及前述RF天线乃配置在前述处理容器内。8.如申请专利范围第7项所记载之电浆处理装置,其尚具有:一填充层,系填满前述处理器之内面与前述介在壁之间,并且,在基本上乃由埋入前述RF天线之介电性粉体所成。9.如申请专利范围第7项所记载之电浆处理装置,其尚具有:10.如申请专利范围第1项所记载之电浆处理装置,其中,前述处理气体为蚀刻前述被处理体用之气体。11.一种电浆处理装置,系使用电浆而对被处理体施予电浆处理之装置,其构成特征在于包含有:一气密之处理室,系形成在处理容器内;支撑部材,系支撑配设在前述处理室内之前述被处理体之用;供给系统,系供给处理气体至前述处理室内之用;排气系统,系将前述处理室内排气之同时,将前述处理室内设定为真空之用;RF天线,系激起供给在前述处理室内之前述处理气体,以形成电浆化之RF电场之用;电源,系供给RF电力至前述RF天线之用;介在壁,系具有对于前述处理室露出其露出之内面,并且,介在于前述处理室与前述RF天线之间;而前述介在壁及具有:基体,系在基本上由半导体所成。12.如申请专利范围第11项所记载之电浆处理装置,其中,前述半导体在基本上乃由矽所成。13.如申请专利范围第11项所记载之电浆处理装置,其中,前述介在壁尚具有:不纯物,系分散在前述基体内。14.如申请专利范围第13项所记载之电浆处理装置,其中,前述不纯物在基本上乃由导电体所成;而前述介在壁乃由烧结体所形成。15.如申请专利范围第13项所记载之电浆处理装置,其中,前述不纯物在前述基体内具有浓度梯度,为使在前述露出内面侧上之前述不纯物的浓度提高。16.如申请专利范围第11项所记载之电浆处理装置,其中,前述介在壁形成为前述处理容器之天井;而前述RF天线乃配置在前述处理容器外。17.如申请专利范围第11项所记载之电浆处理装置,其中,前述介在壁及前述RF天线乃配置在前述处理容器内。18.如申请专利范围第17项所记载之电浆处理装置,其尚具有:填充层,系填满前述处理容器之内面及前述介在壁之间,并且,在基本上乃由埋入前述RF天线之介电性粉体所成。19.如申请专利范围第17项所记载之电浆处理装置,其尚具有:介电体层,系在前述RF天线之周围如同形成空间,而配设在前述处理容器之内面与前述介在壁之间。20.如申请专利范围第11项所记载之电浆处理装置,其中,前述处理气体为蚀刻前述被处理体用之气体。图式简单说明:第一图系表示本发明之实施态样有关之蚀刻装置的概略图。第二图系表示第一图所示之装置的天井板之截面图。第三图系表示第一图所示之装置的变一数例之天井板的截面图。第四图系表示本发明其他实施态样有关之蚀刻装置的概略图。第五图系表示第四图所示之装置的区隔板之截面图。第六图系表示第四图所示之装置的变更例之区隔板的截面图。第七图A、B系表示在天井板或区隔板上之不纯物的浓度分布图。 |
