| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体电容器的制造方法,具有一基底,在该基底上至少已形成一源极/汲极区,该动态随机存取记忆体电容器的制造方法至少包括下列步骤:形成一介电层,覆盖该基底;在该介电层中形成一开口,暴露出该源极/汲极区;形成一导电层覆盖该介电层,并填满该开口;在该导电层上形成一环型光阻,且该环型光阻的中空部分大约对应于该开口;以该环型光阻为罩幕,去除部分的该导电层;在该导电层上形成一间隙壁;以该间隙壁为罩幕,去除部分的该导电层;以及形成一介电层与一导电层。2.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器的制造方法,其中该导电层的材质系包括已掺杂的多晶矽。3.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器的制造方法,其中该环型光阻的外型系为方形中空。4.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器的制造方法,其中该环型光阻的外型系为圆形中空。5.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器的制造方法,其中该去除部分该导电层的方法包括乾蚀刻法。6.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器的制造方法,其中该间隙壁的材质系包括矽酸四乙酯。7.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体电容器的制造方法,其中该间隙壁的材质系包括氮化矽。图式简单说明:第一图A图至第一图F系绘示根据本发明一较佳实施例之一种动态随机存取记忆体电容器的制造流程剖面图;以及第二图系绘示本发明一较佳实施例之环型光阻的上视图。 |
