| 主权项 |
1.一种晶圆级半导体封装构造之制造方法,其包含下列步骤:a)以一第一切刀沿晶圆之切割线,刻画一晶圆之主动表面以形成复数个槽状刻痕,该晶圆之主动表面具有复数个凸出电极;b)以封胶塑料封装该晶圆,且充填于该槽状刻痕中;c)研磨该晶圆之背面,直到露出该槽状刻痕中之该封胶塑料,该封胶塑料之颜色系与该晶圆之颜色不同,因而该封胶塑料于该晶圆背面形成定位线;以及d)藉由该封胶塑料所形成的定位线,由晶圆背面以一第二切刀将该晶圆切割为晶粒。2.依申请专利范围第1项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其中该研磨过程系藉由一研磨轮机械式研磨。3.依申请专利范围第1项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其另包含一步骤研磨该晶圆上之该封胶塑料,使该凸出电极露出该封胶塑料。4.依申请专利范围第3项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其可同时研磨该晶圆上下两表面。5.依申请专利范围第3项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其中系藉由两平行之研磨滚轮完成该两研磨过程。6.依申请专利范围第1项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其中该封胶塑料系以点胶方式包覆每一晶粒。7.依申请专利范围第1项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其中其中该封胶塑料系以注模方式包覆每一晶粒。8.依申请专利范围第7项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其中该封胶塑料系以传递模方式包覆每一晶粒。9.依申请专利范围第1项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其中该第一切刀之宽度相当的大于该第二切刀的宽度,使每一个别半导体封装构造单元具有封胶塑料包覆晶粒侧边。10.一种晶圆级半导体封装构造之制造方法,其包含下列步骤:a)以一第一切刀沿晶圆之切割线,切割该晶圆以形成复数个个别晶粒,该晶圆之主动表面具有复数个凸出电极;b)以封胶塑料封装该晶圆;c)研磨该晶圆之背面至所需之厚度,该封胶塑料之颜色系与该晶圆之颜色不同,因而该封胶塑料于该晶圆背面形成复数条定位线;以及d)藉由该封胶塑料所形成的定位线,由晶圆背面以一第二切刀将该晶圆切割为晶粒。11.依申请专利范围第10项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其中该研磨过程系藉由一研磨轮机械式研磨。12.依申请专利范围第10项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其另包含一步骤研磨该晶圆上之该封胶塑料,使该凸出电极露出该封胶塑料。13.依申请专利范围第12项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其可同时研磨该晶圆上下两表面。14.依申请专利范围第12项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其中系藉由两平行之研磨滚轮完成该两研磨过程。15.依申请专利范围第10项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其中该封胶塑料系以点胶方式包覆每一晶粒。16.依申请专利范围第10项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其中其中该封胶塑料系以注模方式包覆每一晶粒。17.依申请专利范围第16项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其中该封胶塑料系以传递模方式包覆每一晶粒。18.依申请专利范围第10项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其中该第一切刀之宽度相当的大于该第二切刀的宽度,使每一个别半导体封装构造单元具有封胶塑料包覆晶粒侧边。图式简单说明:第一图a:本发明晶圆之俯示图;第一图b:第一图a之晶粒局部放大剖面示图;第二图:将本发明晶圆于加工前之侧面示图;第三图:系以宽度D之切刀于该晶圆上刻画凹槽之剖面示图;第四图a及第四图b:将刻画凹槽之晶圆封胶之剖面示图;第五图:将封胶之晶圆研磨以露出晶粒之凸出电极,且使该凹槽贯穿通过该晶圆;第六图a:经研磨后之晶圆的下表面;第六图b:将研磨后之封胶晶圆切割成半导体封装构造;及第七图:第六图b之本发明晶圆级半导体封装构造之放大剖面示图。 |
