| 主权项 |
1.一种用以实施半导体晶圆之湿化学处理方法,该方法系用若干处理液体处理半导体晶圆,其中半导体晶圆首先用氟化氢水溶液,随后用臭氧水溶液及最后用水或氯化氢水溶液处理,该等处理工作形成处理程序B2。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在处理程序B2之前先用SC1水溶液藉处理程序B1将半导体晶圆加以处理。3.如申请专利范围第1项之方法,其中在处理程序B2之后继之以处理程序B3将半导体晶圆加以烘乾。4.如申请专利范围第3项之方法,其中半导体晶圆之处理程序系依照m*(B1+B2)+B3之方式配置顺序,其中m系一自然数及处理程序B1及处理程序B2系依照先后顺序实施,而且实施烘乾处理B3之前该等B1+B2处理系历经m次。5.如申请专利范围第1或2项之方法,其中氟化氢水溶液内氟化氢之浓度为0.001至2%重量比,氯化氢之浓度可高达2%重量比而且可能含有一界面活性剂。6.如申请专利范围第1或2项之方法,其中臭氧水溶液含臭氧之浓度为1至30个百万分点且可暴露于百万超音波。7.如申请专利范围第1或2项之方法,其中处理程序B2最后所用之处理液体含有臭氧且可暴露于百万超音波。8.如申请专利范围第3或4项之方法,其中烘乾处理之实施系遵循离心装置、热水、异丙醇或马兰格尼原理。9.如申请专利范围第2或3项之方法,其中SC1溶液含有氢氧化铵及过氧化氢或TMAH(氢氧化四甲基铵)及过氧化氢。10.如申请专利范围第1或2项之方法,其中用处理液体之每个处理程序系于一浴内实施。 |
