| 主权项 |
1.一种用以产生辐射能之装置,包含第一电极;与该第一电极分离之第二电极;及一材料,该材料系置放于该第一及第二电极之间并与该二电极形成电气连接,该材料系选自包括一稀土族金属氧化物及一稀土族金属卤化物。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该稀土族金属氧化物或稀土族金属卤化物之稀土族金属系选自包括铒,钐,铕,铽,镱,钕及钆。3.如申请专利范围第2项之装置,其中该稀土族金属氧化物或稀土族金属卤化物之该稀土族金属系铒。4.如申请专利范围第1项之装置,其中材料系一稀土族金属卤化物,其中该卤化物之卤素成分系选自包括氟,氯及碘。5.如申请专利范围第4项之装置,其中该稀土族金属卤化物之卤素系氟。6.如申请专利范围第1项之装置,其中该材料系具有化学式Er2O3之氧化铒。7.如申请专利范围第1项之装置,其中该材料系具有结构化学式ErF3之氟化铒。8.一种场效应电晶体,包含一源极区及一汲极区,该源极区及汲极区系在一半导体材料中形成;一通道区,该通道区系置放于该第一半导体材料之表面之该源极区及该汲极区之间;电气连接至该源极区之第一电极;电气连接至该汲极区之第二电极;选自包括一稀土族金属氧化物及一稀土族金属卤化物之第二材料,该第二材料系置放于该通道之上并位于该第一电极及该第二电极之间;以及一置放于该第二材料之上的闸电极。9.如申请专利范围第8项之电晶体,其中该稀土族金属氧化物或该稀土族金属卤化物之该稀土族金属系选自包括铒,钐,铕,铽,镱,钕及钆。10.如申请专利范围第9项之电晶体,其中该稀土族金属系铒。11.如申请专利范围第8项之电晶体,其中该第二材料系一稀土族金属卤化物,其中该稀土族金属卤化物之该卤素系选自包括氟,氯及碘。12.如申请专利范围第11项之电晶体,其中该卤素是氟。13.如申请专利范围第8项之电晶体,其中该第二材料系具有结构化学式Er2O3之氧化铒。14.如申请专利范围第8项之电晶体,其中该第二材料系具有结构化学式ErF3之氟化铒。15.如申请专利范围第8项之电晶体,其中该闸电极在该第二材料之稀土族金属之发光波长系透明的。16.如申请专利范围第15项之电晶体,其中该闸电极系镉锡氧化物。图式简单说明:第一图应可更加了解本发明,且附图是根据本发明之一光放射装置的示意图。 |
