研磨垫及研磨装置

摘要

本案发明系关于将微胶A硬度80度以上的研磨层和体积弹性系数40MPa以上而且拉伸弹性系数O.1MPa以上20 MPa以下具有缓冲层为其特征的研磨垫，及半导体基板固定于研磨头，将该研磨垫固定于研磨平台以便研磨层和半导体基板对向，使前述研磨头或研磨平台或其双方回转研磨前述半导体基板为其特征的研磨装置。依本案发明，将形成于半导体基板上的绝缘层或金属配线的表面依研磨使光滑为在机械的平坦化过程使用的研磨装置或研磨垫，半导体基板全面被均匀平坦化而且可达成至晶片缘附近的均匀研磨，并且以压磨板转速高的条件可提供谋求均匀性和平坦性两立的技术。

主权项

1.一种研磨垫,其特征为具有微胶A硬度80度以上的研磨层和体积弹性系数40MPa以上而且拉伸弹性系数0.1MPa以上20MPa以下的缓冲层者。2.如申请专利范围第1项所记载的研磨垫,其特征为缓冲层的体积弹性系数60MPa以上者。3.如申请专利范围第2项所记载的研磨垫,其特征为缓冲层的体积弹性系数90MPa以上者。4.如申请专利范围第1项所记载的研磨垫,其特征为缓冲层的拉伸弹性系数0.5MPa以上18MPa以下者。5.如申请专利范围第4项所记载的研磨垫,其特征为缓冲层的拉伸弹性系数5MPa以上15MPa以下者。6.如申请专利范围第1项所记载的研磨垫,其特征为缓冲层的厚度0.1以上100厘米以下者。7.如申请专利范围第6项所记载的研磨垫,其特征为缓冲层的厚度0.2以上5厘米以下者。8.如申请专利范围第1项所记载的研磨垫,其特征为研磨层以聚胺酯为主要成份,而且密度系0.70以上0.90以下者。9.如申请专利范围第1项所记载的研磨垫,其特征为研磨层含有由聚胺酯和乙烯化合物聚合的聚合物,由乙烯化合物聚合的聚合物的含有比率50重量%以上90重量%以下,平均气泡径具有1000微米以下的独立气泡,而且密度在0.4以上1.1以下的范围者。10.如申请专利范围第1项所记载的研磨垫,其特征为研磨层和缓冲层之间的中间层拉伸弹性系数20MPa以下者。11.一种半导体基板之研磨方法,其特征为将半导体基板固定于研磨头,以将申请专利范围第1项所记载的研磨垫的研磨层推压于前述半导体基板的状态固定于研磨平台,使前述研磨头或研磨平台或其双方回转研磨前述半导体基板者。12.如申请专利范围第11项所记载的研磨方法,其特征为研磨垫属于申请专利范围第9项所记载的研磨垫者。13.一种研磨装置,系具备研磨头,和研磨头对峙的研磨垫,固定研磨垫的研磨平台,以及使研磨头,研磨平台或其双方回转装置的研磨装置中,其特征为申请专利范围第1项所记载的研磨垫的研磨层被固定以便和研磨头对向者。14.如申请专利范围第13项所记载的研磨装置,其中研磨头具有固定半导体基板的装置者。