发明名称 MULTI-LEVEL MEMORY DEVICE HAVING AN ECC CIRCUIT
摘要 <p>판독 전용의 멀티 레벨 메모리 디바이스가 판독 전용 데이타를 저장하는 메모리 셀들(11, 11, 11)과 판독 전용 데이타중 1비트를 정정하기 위한 패리티 데이타를 저장하는 메모리 셀들(11, 11)의 한 블럭을 포함한다. 각각의 메모리 셀(11)은 복수의 레벨로부터 선택된 임계 전압을 갖는 셀 트랜지스터를 포함한다. 인접한 레벨의 임계 전압을 갖는 셀 트랜지스터들로부터 판독 회로(12, 13, 16)에 의해 판독된 2개의 판독 데이타는 단지 하나의 비트만이 다르고 나머지 비트들은 동일하다. 판독 데이타는 패리티 비트들을 사용함으로써 효과적으로 정정될 수 있다.</p>
申请公布号 KR100293066(B1) 申请公布日期 2001.06.15
申请号 KR19990018613 申请日期 1999.05.24
申请人 null, null 发明人 마쯔바라히로유끼
分类号 G06F11/10;G06F12/16;G11C11/56;G11C29/42 主分类号 G06F11/10
代理机构 代理人
主权项
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