发明名称 Plasma apparatus for fabricating semiconductor device
摘要 <p>본 발명은 반도체소자의 제조에 사용되는 플라즈마 장비에 관한 것으로, 소정의 공정이 진행되는 공간을 제공하는 접지된 챔버와, 챔버 내부에 장착되고 챔버와 절연된 척과, 척의 측벽 주변에 설치되고 챔버와 전기적으로 연결된 가스 주입링(gas injection ring)과, 척과 접속된 유도 플라즈마 전원(induction plasma power source)과, 유도 플라즈마 전원을 제어하는 신호를 출력시키는 시스템 제어기와, 척 및 접지단자 사이의 전체 척 커패시턴스(total chuck capacitance)를 일정한 값으로 유지시키는 커패시턴스 보상기(capacitance compensator)를 포함한다.</p>
申请公布号 KR100292411(B1) 申请公布日期 2001.06.01
申请号 KR19990027461 申请日期 1999.07.08
申请人 null, null 发明人 김귀상;민영민;박인성
分类号 H01L21/302;H01J37/32;H01L21/205;H01L21/3065 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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