| 主权项 |
1.一种可用于形成焊球的改良式容纳焊浆淀积装置,该装置包括一施体基片,一受体基片,及由焊浆回流时所形成的焊球,当回流时该施体基片系保持在一定位,而该等焊球会从该施体基片移转到该受体基片;其改良包含:在该施体基片上的焊浆容纳区系呈现切分状的周缘,并具有预定深度,当回流时各该容纳区乃可使一融化的焊球相对于该施体基片的表面突伸定位,而有助于从该施体基片移转到该受体基片。2.如申请专利范围第1项之可用于形成焊球的改良式容纳焊浆淀积装置;其改良更包含:焊浆容纳区具有一个或多个残壁可促使一融化焊球至一预定位置。3.如申请专利范围第1项之可用于形成焊球的改良式容纳焊浆淀积装置;其改良更包含:一焊浆容纳区具有一周缘乃被制成可排设成一规则阵列。4.如申请专利范围第1项之可用于形成焊球的改良式容纳焊浆淀积装置;其改良更包含:一焊浆容纳区具有一周缘乃被制成可排设成一不规则的阵列。5.如申请专利范围第1项之可用于形成焊球的改良式容纳焊浆淀积装置;其改良更包含:内圆角及外圆角乃可用来加强其机械强度并使之易于清理。6.如申请专利范围第1项之可用于形成焊球的改良式容纳焊浆淀积装置;其中:该焊浆容纳区的外缘尺寸系大约25微米至2.5毫米。7.如申请专利范围第1项之可用于形成焊球的改良式容纳焊球淀积装置;其中:该施体基片系为一具有非焊料可湿化表面的材料,且其热膨胀系数实质上相同于该受体基片。8.如申请专利范围第1项之可用于形成焊球的改良式容纳焊球淀积装置;其中:该施体基片系与该受体基片为相同的材料。9.如申请专利范围第8项之可用于形成焊球的改良式容纳焊球淀积装置;其中:该施体基片系为一矽晶圆,具有以活性离子蚀刻法蚀入其表面的焊浆容纳凹穴。10.如申请专利范围第8项之可用于形成焊球的改良式容纳焊球淀积装置;其中:该施体基片系为一陶瓷、蓝宝石或玻璃基片,具有以活性离子蚀刻法蚀入其表面的焊浆容纳凹穴。11.如申请专利范围第8项之可用于形成焊球的改良式容纳焊球淀积装置;其中:该施体基片系为一金属板,具有以传统的铣削或放电加工来设入其表面的焊浆容纳凹穴。12.如申请专利范围第11项之可用于形成焊球的改良式容纳焊浆淀积装置;其中:该基片材料实质上系为铝。13.如申请专利范围第8项之可用于形成焊球的改良式容纳焊球淀积装置;其中:该施体基片系为一聚合物薄膜覆盖一硬质托板的叠层结构,具有以硬版照相法或雷射切割蚀入该聚合物薄膜的焊浆容纳凹穴。14.如申请专利范围第13项之可用于形成焊球的改良式容纳焊球淀积装置;其中:该聚合物薄膜系为聚醯亚胺。图式简单说明:第一图乃示意地呈现一容纳焊浆淀积总成的截面图。第二图示出一依据本发明所教示之设有一焊料容纳区或凹穴的施体基片之一部份。第三图包含第三图A与第三图B,表示一如第二图之本发明的施体基片,设有一预定形状之焊料容纳凹穴,及一焊球形成于该焊料容纳凹穴中的截面图。第四图包含第四图A至第四图E,示出本发明之较佳及一些可择实施例的改良式施体基片。第五图包含第五图A与第五图B,示出本发明之一可择实施例。 |
