| 主权项 |
1.一种化学机械研磨终点侦测的方法,包括下列步 骤: 提供一半导体结构,该半导体结构依序包括具有一 介层洞之一介电层、一阻障层与一金属层,其中该 介层洞被该阻障层与该金属层填满; 进行一化学机械研磨制程之一主要研磨阶段,其中 该主要研磨阶段具有一第一制程参数,藉以去除位 于该介电层上方之该金属层,直到暴露出该阻障层 为止;以及 进行该化学机械研磨制程之一过度研磨阶段,其中 该过度研磨阶段具有一第二制程参数,藉以去除位 于该介电层上方之该阻障层,该第二制程参数与该 第一制程参数不同。2.如申请专利范围第1项所述 之化学机械研磨终点侦测的方法,其中该第一制程 参数与该第二制程参数分别包括一承载器转速、 一研磨台转速、一施加压力,该第一制程参数之该 承载器转速与该研磨台转速低于该第二制程参数 之该承载器转速与该研磨台转速,但该第一制程参 数之该施加压力大于该第二制程参数之该施加压 力。3.如申请专利范围第2项所述之化学机械研磨 终点侦测的方法,其中该第一制程参数之该承载器 转速为60rpm,该研磨台转速为65rpm。4.如申请专利范 围第2项所述之化学机械研磨终点侦测的方法,其 中该第二制程参数之该承载器转速为75rpm,该研磨 台转速为80rpm。5.如申请专利范围第2项所述之化 学机械研磨终点侦测的方法,其中该第一制程参数 之该施加压力为33-37kPa。6.如申请专利范围第2项 所述之化学机械研磨终点侦测的方法,其中该第二 制程参数之该施加压力为19-23kPa。7.如申请专利范 围第1项所述之化学机械研磨终点侦测的方法,其 中该金属层之材料为钨与铜其中之一。8.如申请 专利范围第1项所述之化学机械研磨终点侦测的方 法,其中该金属层之厚度为4000,而过度研磨阶段 进行的时间为45-60秒。9.一种化学机械研磨终点侦 测的方法,包括下列步骤: 利用一终点侦测控制模式进行一主要研磨阶段;以 及 进行一过度研磨阶段; 其中该主要研磨阶段之承载器转速与研磨台转速 低于该过度研磨阶段,而该主要研磨阶段施加之压 力大于该过度研磨阶段。10.如申请专利范围第9项 所述之化学机械研磨终点侦测的方法,其中该第一 制程参数之承载器转速为60rpm,研磨台转速为65rpm 。11.如申请专利范围第9项所述之化学机械研磨终 点侦测的方法,其中该第二制程参数之承载器转速 为75rpm,研磨台转速为80rpm。12.如申请专利范围第9 项所述之化学机械研磨终点侦测的方法,其中该第 一制程参数之该施加压力为33-37kPa。13.如申请专 利范围第9项所述之化学机械研磨终点侦测的方法 ,其中该第二制程参数之该施加压力为19-23kPa。14. 如申请专利范围第9项所述之化学机械研磨终点侦 测的方法,其中当一被研磨物之厚度为4000时,该 过度研磨阶段进行的时间为45-60秒。图式简单说 明: 第一图绘示依照本发明一较佳实施例的一种化学 机械研磨终点侦测的步骤流程图。 |
