| 摘要 |
<p>Es werden ein Halbleiter-Schichtaufbau, ein schichtförmiger Halbleiterkristall und ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement (LED oder Laser-Diode) beschrieben, bei denen eine oder mehrere Halbleiterschichten auf der Basis von Gruppe-III-Nitridverbindungen mit hexagonaler Struktur mit einer derartigen Orientierung vorgesehen sind, dass die c-Achsen der hexagonalen Struktur parallel zur jeweiligen Substratoberfläche oder Schichtebene verlaufen. Mit dieser Schichtorientierung werden die Nachteile herkömmlicher Halbleiterbauelemente hinsichtlich der Leuchteffizienz, der Wellenlängenstabilität und der Reproduzierbarkeit von Emissionseigenschaften überwunden.</p> |
