| 主权项 |
1.一种不需要栓塞植入而形成接触窗的方法,该方法至少包含:提供一底材,该底材的上面及内部具有一已经形成的金属氧化物半导体电晶体,其中该电晶体具有金属矽化物层覆盖其上,并在该电晶体的闸极上形成一覆盖层;在该底材上形成一介电层;在该介电层上形成一光阻层,其中该光阻层在该电晶体的主动区域及闸极上定义接触窗;直接蚀刻未被该光阻层覆盖之该平坦化介电层,并且在高密度电浆蚀刻机中以高选择比的蚀刻剂使得该蚀刻停在该覆盖层;及直接蚀刻该覆盖层,并且在高密度电浆蚀刻机中以高选择比的蚀刻剂使得该蚀刻停在该导体层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之覆盖层至少包含氮化矽与氮氧化矽的堆叠层。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之覆盖层至少包含氮氧化矽。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之导体层至少包含金属矽化物。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之直接蚀刻该覆盖层的步骤系以在高密度电浆蚀刻机中产生含氢聚合物来完成。6.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之含氢聚合物系在高密度电浆蚀刻机中藉由CH2F2的分解来形成。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之直接蚀刻该介电层的步骤系以在高密度电浆蚀刻机中产生含碳聚合物来完成。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之含碳聚合物系在热反应室壁中以C4F8/CO/Ar/CH2F 产生。9.如申请专利范围第1项之方法,更包含溅镀一保角附着层在该接触窗洞上。10.如申请专利范围第1项之方法,更包含平坦化该介电层。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介电层系氧化矽。12.一种不需要栓塞植入而形成接触窗的方法,该方法至少包含:提供一底材,该底材的上面及内部具有一已经形成的金属氧化物半导体电晶体,其中该电晶体具有钛矽化物层覆盖其上,并在该电晶体的闸极上形成一覆盖层;在该底材上形成一氧化矽层;在该氧化矽层上形成一光阻层,其中该光阻层在该电晶体的主动区域及闸极上定义接触窗;直接蚀刻未被该光阻层覆盖之该平坦化介电层,并且在高密度电浆蚀刻机中以高选择比的蚀刻剂使得该蚀刻停在该覆盖层;直接蚀刻该覆盖层,并且在高密度电浆蚀刻机中以高选择比的蚀刻剂使得该蚀刻停在该导体层;及形成一保角附着层在该接触窗洞上。13.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之覆盖层至少包含氮化矽与氮氧化矽的堆叠层。14.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之覆盖层至少包含氮氧化矽。15.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之直接蚀刻该覆盖层的步骤系以在高密度电浆蚀刻机中产生含氢聚合物来完成。16.如申请专利范围第15项之方法,其中上述之含氢聚合物系在高密度电浆蚀刻机中藉由CH2F2的分解来形成。17.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之直接蚀刻该介电层的步骤系以在高密度电浆蚀刻机中产生含碳聚合物来完成。18.如申请专利范围第17项之方法,其中上述之含碳聚合物系在热反应室壁中以C4F8/CO/Ar/CH2F2产生。19.如申请专利范围第12项之方法,更包含平坦化该氧化矽层。图式简单说明:第一图A到第一图C显示一传统的蚀刻接触窗制程中,各步骤的示意图;第二图为本发明各步骤的流程图的流程图;第三图A到第三图D显示以本发明蚀刻接触窗制程中,各步骤的示意图。 |
