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<p>셀을 고집적시키고, 또한 커플링비를 증가시켜서 프로그램 효율을 향상시키기에 알맞은 반도체 메모리소자 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것으로써, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명 반도체 메모리소자는 반도체기판에 일방향으로 일정폭을 갖고 형성된 트렌치와, 상기 트렌치의 중앙의 소정영역에 셀을 길이방향으로 격리시키도록 형성된 제 1 격리절연막, 상기 제 1 격리절연막 양측의 상기 트렌치의 일측내 및 상기 트렌치 사이의 돌출된 반도체기판내에 일방향으로 메몰 형성된 제 1, 제 2 불순물영역, 상기 전면에 형성된 제 1 게이트절연막, 상기 제 1 격리절연막과 상기 돌출된 반도체기판의 일측에 걸쳐서 굴곡을 갖고 형성된 플로팅게이트, 상기 플로팅게이트를 포함한 전면에 형성된 제 2 게이트절연막, 셀의 폭방향에서 상기 플로팅게이트를 감싸고 상기 제 1, 제 2 불순물영역과 직교하도록 일방향성을 갖고 형성된 콘트롤게이트, 상기 콘트롤게이트를 제외한 영역상에 셀을 폭방향으로 격리시키도록 형성된 제 2 격리절연막, 상기 콘트롤게이트상에 형성된 캡절연막과, 상기 콘트롤게이트와 캡절연막의 양측면에 형성된 측벽스페이서를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.</p> |
