| 主权项 |
1.一种沟槽隔离物的制造方法,适用于半导体基底,上述方法包括下列步骤:(a)在半导体基底上形成一遮蔽层;(b)选择性蚀刻上述遮蔽层以及半导体基底,以形成一沟槽,该沟槽之开口部分往底部逐渐缩小;(c)在上述沟槽内填入一绝缘物;(d)回蚀刻上述遮蔽层,用以在上述绝缘物的侧壁形成一间隙壁(spacer);(e)去除部分上述沟槽内听绝缘物,使绝缘物的上表面略高于半导体基底的上表面;(f)在上述露出之半导体基底的上表面形成一薄绝缘层;(g)去除上述间隙壁;以及(h)去除上述薄绝缘层,且形成上表面与半导体基底上表面略为等高的沟槽内绝缘物,以当作沟槽隔离物。2.如申请专利范围第1项所述之沟槽隔离物的制造方法,其中上述半导体基底系单晶矽基底。3.如申请专利范围第1项所述之沟槽隔离物之制造方法,其中上述沟槽之开口部具有往底部逐渐缩小之阶梯状。4.如申请专利范围第1项所述之沟槽隔离物之制造方法,其中上述沟槽之开口部具有往底部逐渐缩小之平滑状。5.如申请专利范围第1项所述之沟槽隔离物之制造方法,其中上述遮蔽层系下方形成有垫氧化层的氮化矽层。6.如申请专利范围第5项所述之沟槽隔离物之制造方法,其中上述步骤(b)填入沟槽的绝缘物系利用化学气相沈积法形成经过平坦化之氧化物。7.如申请专利范围第6项所述之沟槽隔离物之制造方法,其中上述薄绝缘层系利用热氧化法形成之薄氧化层。8.如申请专利范围第7项所述之沟槽隔离物之制造方法,其中上述步骤(e)系利用氢氟酸溶液进行。9.如申请专利范围第5项所述之沟槽隔离物之制造方法,其中上述步骤(g)之间隙壁去除步骤系利用磷酸溶液进行。10.如申请专利范围第7项所述之沟槽隔离物之制造方法,其中上述步骤(h)系利用氢氟酸溶液进行。11.一种沟槽隔离物的制造方法,适用于半导体基底,上述方法包括下列步骤:(a)在半导体基底上依序形成一垫氧化层以及氮化矽层;(b)选择性蚀刻上述氮化矽层、垫氧化层以及半导体基底,以形成一往底部逐渐缩小之沟槽;(c)在上述沟槽内填入一表面与该氮化矽层略为等高的氧化物;(d)回蚀刻上述氮化矽层,用以在上述氧化物的侧壁形成一氮化矽间隙壁(spacer);(e)施以氧化物蚀刻步骤,以去除部分上述沟槽内的氧化物以及垫氧化层,使氧化物的上表面略高于半导体基底的上表面,且露出部分沟槽之外区域的半导体基底上表面;(f)在上述露出之半导体基底的上表面形成一热氧化层;(g)去除上述氮化矽间隙壁;以及(h)施以氧化物蚀刻步骤,用以去除上述热氧化层,且形成上表面与半导体基底上表面略为等高的沟槽内氧化物,以当作沟槽隔离物。12.如申请专利范围第11项所述之沟槽隔离物的制造方法,其中上述半导体基底系单晶矽基底。13.如申请专利范围第11项所述之沟槽隔离物之制造方法,其中上述沟槽之开口部具有往底部逐渐缩小之阶梯状。14.如申请专利范围第11项所述之沟槽隔离物之制造方法,其中上述沟槽之开口部具有往底部逐渐缩小之平滑状。15.如申请专利范围第11项所述之沟槽隔离物之制造方法,其中上述步骤(e)之氧化物蚀刻系利用氢氟酸溶液进行。16.申请专利范围第11项所述之沟槽隔离物之制造方法,其中上述步骤(g)之氮化矽间隙壁去除步骤系利用磷酸溶液进行。17.如申请专利范围第11项所述之沟槽隔离物之制造方法,其中上述步骤(h)之氧化物蚀刻系利用氢氟酸溶液进行。图式简单说明:第一图系利用习知技术在半导体基底形成沟槽隔离物之剖面示意图。第二图A-第二图G系根据本发明较佳实施例在半导体基底形成具有平坦表面之沟槽隔离物之制程剖面图。第三图A-第三图G系根据本发明另一实施例在半导体基底形成具有平坦表面之沟槽隔离物之制程剖面图。 |
