发明名称 记忆体装置
摘要 一种记忆体装置包含:复数组各自包括一记忆体晶胞阵列;及至少一第一及一第二内部功率产生器,设置于各该复数组用于产生内部电源电压,该电压系与外部电源供应之电压不同。若于开电时记忆体装置之内部共通电源电压系低于第一电压,则复数组之第一及第二内部功率产生器被激励,因而迅速升高共通内部电源电压。当记忆体装置之共通内部电源电压系高于第一电压而低于第二电压时,该复数组之第二内部功率产生器被激励而补偿内部电源电压之压降,该压降系由于漏电流引起。当于激励态于一组之内部电源电压系低于第三电压时,该对应组之第一及第二内部功率产生器被激励,且满意地驱动该组之内部电源电压因而以高速操作记忆体装置。
申请公布号 TW430798 申请公布日期 2001.04.21
申请号 TW088110553 申请日期 1999.06.23
申请人 富士通股份有限公司 发明人 柳下良昌;内田敏也;奥田正树
分类号 G11C11/40 主分类号 G11C11/40
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种记忆体装置,包含:复数组其各自包括一记忆体晶胞阵列;及至少一第一及第二内部功率产生器,设置于各该复数组,用于产生内部电源电压,其系与外部电源供给电压不同,其中,当于记忆体装置之共通内部电源电压系低于第一电压时,于复数组之第一及第二内部功率产生器被激励,其中,当于记忆体装置之共通内部电源电压系高于第一电压而低于第二电压(其系高于第一电压)时,复数组之第二内部功率产生器被激励,及其中,当于一组于激励态之内部电源电压系低于第三电压时,该第一及第二组之内部功率产生器被激励。2.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其中该第三电压系高于第二电压。3.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其中该第三电压系大致等于第二电压。4.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其进一步包含:一共通内部电源电压侦测器,用于当记忆体装置之共通内部电源电压低于第一电压时产生第一激励讯号,及用于当共通内部电源电压高于第一电压而低于第二电压时产生第二激励讯号,其中该复数组之第一及第二内部功率产生器系响应第一激励讯号而被激励,及于复数组之第二内部功率产生器系响应第二激励讯号而被激励。5.如申请专利范围第1或4项之记忆体装置,其进一步包含:一组内部电源电压侦测器,其设置于各组,用于当于激励态之该组之内部电源电压系低于第三电压时产生第三激励讯号,其中,响应第三激励讯号,于激励态之该组之第一及第二内部功率产生器被激励。6.如申请专利范围第5项之记忆体装置,其中该组内部电源电压侦测器侦测于对应组之内部电源电压之压降,每一列位址解码被激励组之作业。7.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其中该等组之第一及第二内部功率产生器具有大致相等的功率产生能力。8.一种记忆体装置,包含:复数组其各自包括一记忆体晶胞阵列;及至少一第一及第二内部功率产生器,设置于各该复数组,用于产生内部电源电压,其系与外部电源供给电压不同,其中,当于记忆体装置之共通内部电源电压系低于第一电压时,于复数组之第一及第二内部功率产生器被激励,及其中,当于记忆体装置之共通内部电源电压系高于第一电压而低于第二电压(其系高于第一电压)时,复数组之第二内部功率产生器被激励。9.如申请专利范围第8项之记忆体装置,其进一步包含:一共通内部电源电压侦测器,用于当记忆体装置之共通内部电源电压低于第一电压时产生第一激励讯号,及用于当共通内部电源电压高于第一电压而低于第二电压时产生第二激励讯号,其中该复数组之第一及第二内部功率产生器系响应第一激励讯号而被激励,及于复数组之第二内部功率产生器系响应第二激励讯号而被激励,该其通内部电源电压侦测器无论于记忆体装置之激励态或钝化态皆可作动。图式简单说明:第一图为方块图说明根据本发明之一具体例之记忆体装置;第二图为电路图说明根据本发明之具体例之记忆体装置;第三图为略图说明根据本发明之具体例由共通内部电源电压侦测器执行的作业;第四图为略图说明根据本发明之具体例由组内部电源电压侦测器执行的作业;第五图为电路图说明根据本发明之具体例用于侦测共通内部电源电压之电压侦测器;第六图为电路图说明根据本发明之具体例用于侦测组内部电源电压之电压侦测器;第七图为电路图说明根据本发明之具体例之振荡器;第八图为电路图说明根据本发明之具体例之计数器电路;及第九图为电路图说明根据本发明之具体例之泵电路。
地址 日本