| 主权项 |
1.一种复晶矽闸极的制造方法,其包括:提供一基底;于该基底上形成一闸氧化层;于该闸极氧化层上形成一部分掺杂之复晶矽层;在该部分掺杂之复晶矽层上形成一第一未掺杂复晶矽层;以及定义该部分掺杂之复晶矽层与该第一未掺杂复晶矽层,以形成一闸极。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该部分掺杂之复晶矽层的厚度约为1200至1800埃。3.如申请事利范围第1项所述之方法,其中该未掺杂复晶矽层的厚度约为300至700埃。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该部分掺杂之复晶矽层的形成方法包括下列步骤:于该闸极氧化层上形成一第二未掺杂复晶矽层;于该第二未掺杂复晶矽层上形成一光阻层;以及以该光阻层为罩幕,进行一离子植入步骤,以形成该部分掺杂之复晶矽层。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该离子植入步骤所使用的离子包括砷离子,植入的能量约为20至40电子伏特,植入的离子浓度约为1E15至5E15原子/平方公分。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中于进行该定义部分之掺杂复晶矽层与第一未掺杂复晶矽层的步骤之前,更包括形成一抗反射层。7.一种金氧半导体电晶体的制造方法,其包括:提供一基底,于该基底中已形成有一元件隔离结构;于该基底上形成一闸极氧化层;于该闸极氧化层上形成一部分掺杂之复晶矽层;在该部分之掺杂复晶矽层上形成一第一未掺杂复晶矽层;定义该部分之掺杂复晶矽层与该第一未掺杂复晶矽层,以形成一闸极;以该闸极为罩幕,于该闸极两侧之基底中形成一轻掺杂区;于该闸极侧壁形成一间隙壁;以该闸极与该间隙壁为罩幕,于该基底中形成一浓掺杂区;以及于该闸极与该轻掺杂区上形成一金属矽化物层。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该部分之掺杂复晶矽层的厚度约为1200至1800埃。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该未掺杂复晶矽层的厚度约为300至700埃。10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该部分掺杂之复晶矽层的形成方法包括下列步骤:于该闸极氧化层上形成一第二未掺杂复晶矽层;于该第二未掺杂复晶矽层上形成一光阻层;以及以该元阻层为罩幕,进行一离子植入步骤,以形成该部分掺杂之复晶矽层。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该离子植入步骤所使用的离子包括砷离子,植入的能量约为20至40电子伏特,植入的离子浓度约为1E15至5E15原子/平方公分。12.如申请专利范围第7项所述之方法,其中进行该定义部分之掺杂复晶矽层与第一未掺杂复晶矽层的步骤之前,更包括形成一阬反射层。13.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该第一未掺杂复晶矽层可藉由该形成金属矽化物层步骤中所进行的热制程,而形成一掺杂复晶矽层。图式简单说明:第一图A至第一图C绘示习知的闸极之制作流程剖面图;以及第二图A至第二图F绘示依照本发明一较佳实施例之一种复晶矽闸极的制造流程剖面图。 |
