| 发明名称 | 场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 场效应晶体管包含:半导体衬底;选择性地制作在半导体衬底上的栅绝缘膜;制作在栅绝缘膜上的栅电极;具有位于栅电极紧邻下方的相对的端部的源/漏区,各个相对的端部具有覆盖栅电极的覆盖区;以及制作在半导体衬底表面部分中的被夹在相对的源/漏区之间的沟道区。位于至少一个源/漏区覆盖栅电极的覆盖区处的栅绝缘膜部分,具有比位于沟道区上的栅绝缘膜部分更低的介电常数。从而能够完全抑制短沟道效应,并能够实现高速运行。 | ||
| 申请公布号 | CN1290040A | 申请公布日期 | 2001.04.04 |
| 申请号 | CN00129221.8 | 申请日期 | 2000.09.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 小野瑞城 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1．一种场效应晶体管，它包含：半导体衬底；选择性地制作在半导体衬底上的栅绝缘膜；制作在栅绝缘膜上的栅电极；沿栅电极的彼此相对的侧表面制作在半导体衬底表面部分中的源／漏区，此源／漏区具有位于栅电极紧邻下方的相对的端部，各个相对的端部具有覆盖栅电极的覆盖区；以及制作在半导体衬底表面部分中的被夹在相对的源／漏区之间的沟道区，其中位于至少一个源／漏区覆盖栅电极的覆盖区处的栅绝缘膜部分，具有比位于沟道区上的栅绝缘膜部分更低的介电常数。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||