| 摘要 |
一种精确电阻（11）系藉与电晶体源／吸区（18、21）同一时间造成之扩散区（20）在积体电路中形成。在金氧半导体（CMOS）制程中，此一Ｎ型电阻器区系在一Ｎ型井（16）内形成，一如系被使用为Ｐ型通道电晶体。此电阻器利用淀积氧化层（30、46）作为面罩而形成，同时此一氧化层亦被用以制造电晶体闸（22、23）之侧面间隔物（24、25）。此侧面间隔物系用以在源／吸区之上创造自行校准之矽化区（26、27），即与该等闸自行校准，同时此矽化物亦用作为电阻器之接触区（31、32）。电阻值系以留作面罩之淀积氧化层之宽度而界定，但此并不需要任何重要之校准步骤。 |
