形成金氧半电晶体的方法

摘要

一种形成金氧半电晶体的方法。在此金氧半电晶体系以一特定的程序所形成，藉以使制程中的热损害得以有效地控制。本发明至少包含下列步骤:首先，提供一底材并在此底材上形成隔离与井区。接着，依序形成第一介电质层、传导层与抗反射层于底材上，再以微影蚀刻形成一闸极。然后，先形成源极、汲极与间隙壁，再以热处理程序处理源极与汲极，并形成第一金属矽化物在源极与汲极上。接下来，先以第二介电质层覆盖底材与闸极，再平坦化第二介电质层的表面，在此闸极的抗反射层完全被移除而且闸极的传导层则是部份被移除。再来，先形成第二金属矽化物在传导层上，再移除间隙壁，然后形成衬垫和搀杂源汲极。最后，形成第三介电质层在第二介电质层上，并覆盖住闸极。明显地，本发明的一大特征是是在一系列的热制程已执行过后才形成搀杂源汲极和衬垫，有效地避免搀杂源汲极和衬垫受到沉积等热制程的影响。

主权项

1.一种形成金氧半电晶体的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一底材;形成一隔离在该底材;形成一井区在该底材,该井区系被该隔离所围绕;形成一第一介电质层在该底材上;形成一传导层在该第一介电质层上;形成一抗反射层在该传导层上;移除部份的该抗反射层、部份的该传导层与部份的该第一介电质层,藉以形成一闸极;形成一源极与一汲极在该底材靠近该闸极的部份;形成一间隙壁在该闸极的一侧壁;回火处理该源极与该汲极;形成一第一金属矽化物在该源极与该汲极;形成一篇二介电质层在该底材上,该第二介电质层完成覆盖该闸极与该间隙壁;平坦化该第二介电质层,并使得该抗反射层完成被移除,以及该间隙壁也未完成为该第二介电质层所覆盖;形成一第二金属矽化物在该传导层;移除该间隙壁;形成一衬垫与一搀杂源汲极在该底材;和形成一第三介电质层在该第二介电质层之上,在此该第三介电质层完全覆盖该闸极。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之隔离至少包含浅渠沟隔离。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一介电质层至少包含氧化层。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之传导层至少包含多晶矽层。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之传导层至少包含金属层。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之抗反射层至少包含氮氧化矽层。7.如申请专利范围第1项之方法,其中定义与形成该闸极的程序至少包含围影程序与蚀刻程序。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之间隙壁的材料至少包含氮化矽。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一金属矽化物的材料至少包含二矽化钛。10.如申请专利范围第1项之方法,其中平坦化该第二介电质层的方法至少包含化学机械研磨法。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之平坦化该第二介电质层的程序也移除了部份的该传导层。12.如申请专利范围第1项之方法,当该传导层为一金属层时,该第二金属矽化物是可以省略的。13.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二金属物材料至少包含二矽化钴。14.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之移除该间隙壁的程序至少包含湿蚀刻程序。15.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之湿蚀刻程序所使用的蚀刻液至少包含硫酸。16.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之衬垫与该搀杂源汲极系位于该闸极与该源极之间。17.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之衬垫与该搀杂源汲极系位于该闸极与该汲极之间。18.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之衬垫的极性系与该源极和该汲极的极性相反。19.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之衬垫系位于该搀杂源汲极的下方。图式简单说明:第一图系习知之场效电晶体制程的流程示意图;第二图A至第二图B系根据本发明之一实施例所绘示之流程示意图;以及第三图至第十四图系绘示根据本发明之一实施例,金氧半电晶体制程中不同步骤的横截面示意图。