发明名称 金属电容器的制造方法
摘要 本发明提供一种金属电容器的制造方法,系先于内层介电层(Inter-Layer Dielectric;ILD)上同时形成电容器下极板和金属导线。金属线和下极板之间与两侧具有几个间隙(gap)。之后,将这些间隙填以氧化物。接着,于 ILD上覆盖一层氧化层,并将之图案化。这个图案化的氧化层,称之为顶盖氧化层,其具有一个开口曝露出下极板上,预定作为制作上极板靠近下极板之部份,以及电容器介电薄层的地方。接着,于顶盖氧化层和下极板上依序形成电容器介电薄层和金属层,其中金属层填满开口并覆盖顶盖氧化层。
申请公布号 TW428304 申请公布日期 2001.04.01
申请号 TW088109493 申请日期 1999.06.08
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 林震宾;锺振辉;刘玉如
分类号 H01L27/04;H01L21/768 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种金属电容器的制造方法,包括: 于一内层介电层上形成一金属图案,该金属图案包 括一电容器下极板与一金属导线覆盖部份该内层 介电层,其中该电容器下极板与该金属导线间具有 一间隙曝露出该内层介电层; 于该间隙中形成一第一氧化层,以填满该间隙; 于该金属导线、该第一氧化层和该电容器下极板 上形成一第二氧化层,其中该第二氧化层具有一窗 口曝露出部份之该电容器下极板; 于该下极板与该第二氧化层上形成一介电薄层;以 及; 于该介电薄层上形成一电容器上极板。2.如申请 专利范围第1项所述之金属电容器的制造方法,其 中该第二氧化层的厚度约为100至9999埃。3.如申请 专利范围第1项所述之金属电容器的制造方法,其 中该第一氧化层包括一氧化薄层与一旋涂式玻璃 层。4.如申请专利范围第3项所述之金属电容器的 制造方法,其中该第一氧化层的形成方式更包括: 于该间隙中形成该氧化薄层;以及 于该氧化薄层上形成该旋涂式玻璃层,以填满该间 隙。5.如申请专利范围第1项所述之金属电容器的 制造方法,其中该电容器上极板的材质包括铝。6. 如申请专利范围第1项所述之金属电容器的制造方 法,其中该电容器上极板的材质包括钨。7.如申请 专利范围第1项所述之金属电容器的制造方法,更 包括于电容器上极板上形成一介层窗插塞。8.一 种金属内连线制程,适用于一内层介电层,该内层 介电层上同时具有一电容器下极板与一金属导线 覆盖部份该内层介电层,其中该电容器下极板与该 金属导线间具有一间隙曝露出该内层介电层,该金 属内连线制程包括: 于该间隙中形成一第一氧化层,以填满该间隙; 于该金属导线、该第一氧化层和该电容器下极板 上形成一第二氧化层,其中该第二氧化层具有一窗 口曝露出部份之该电容器下极板; 于该下极板与该第二氧化层上形成一介电薄层; 于该介电薄层上形成一电容器上极板;以及 于该电容器上极板上形成一介层窗插塞。9.如申 请专利范围第8项所述之金属内连线制程,其中该 第二氧化层的厚度约为100至9999埃。10.如申请专利 范围第8项所述之金属内连线制程,其中该第一氧 化层包括一氧化薄层与一旋涂式玻璃层。11.如申 请专利范围第8项所述之金属内连线制程,其中该 第一氧化层的形成方式更包括: 于该间隙中形成该氧化薄层;以及 于该氧化薄层上形成该旋涂式玻璃层,以填满该间 隙。12.如申请专利范围第8项所述之金属内连线制 程,其中该电容器上极板的材质包括铝。13.如申请 专利范围第8项所述之金属内连线制程,其中该电 容器上极板的材质包括钨。14.如申请专利范围第8 项所述之金属内连线制程,更包括于该金属导线上 形成另一介层窗插塞。15.一种金属电容器的制造 方法,适用于制作混合讯号电路的类比区电容器, 该金属电容器的制造方法包括: 于一内层介电层上形成一电容器下极板与一金属 导线覆盖部份该内层介电层,其中该电容器下极板 与该金属导线间具有一间隙曝露出该内层介电层; 于该间隙中形成一第一氧化层,以填满该间隙; 于该金属导线、该第一氧化层和该电容器下极板 上形成一第二氧化层,其中该第二氧化层具有一窗 口曝露出部份之该电容器下极板; 于该下极板与该第二氧化层上形成一介电薄层;以 及; 于该介电薄层上形成一电容器上极板。16.如申请 专利范围第15项所述之金属电容器的制造方法,其 中该第二氧化层的厚度约为100至9999埃。17.如申请 专利范围第15项所述之金属电容器的制造方法,其 中该第一氧化层包括一氧化薄层与一旋涂式玻璃 层。图式简单说明: 第一图A至第一图F绘示根据本发明,一种金属电容 器的制造方法;以及 第二图绘示一种金属电容器的部份制程结果示意 图。
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