| 主权项 |
1.一种半调型相移式光罩,包括:一光罩基板;以及一半调型相移层,位于该光罩基板上;包括一主要图形,具有一第一宽度;一辅助图形,以一第二宽度位于该主要图形两侧,且以一距离与该主要图形平行排列。2.如申请专利范围第1项所述之相移式光罩,其中该光罩基板之材质包括石英。3.如申请专利范围第1项所述之相移式光罩,其中该半调型相移层之材质包括钼矽之氮氧化物。4.如申请专利范围第1项所述之相移式光罩,其中该半调型相移层之透光率小于10%。5.如申请专利范围第1项所述之相移式光罩,在以深紫外光为一曝光光源时,该第一宽度之一晶圆尺寸约为0.1-0.15m。6.如申请专利范围第5项所述之相移式光罩,其中该第二宽度约为0.055-0.090m。7.如申请专利范围第5项所述之相移式光罩,其中该距离约为0.22-0.27m。8.如申请专利范围第1项所述之相移式光罩,其中该半调型相移层具有180度之相位移。9.如申请专利范围第1项所述之相移式光罩,适用在形成一复晶矽线之半导体微影制程,该制程包括提供具有一复晶矽层之一半导体基底;利用该相移式光罩定义该复晶矽层,则在该半导体基底上形成一复晶矽线。10.如申请专利范围第9项所述之相移式光罩,其中该复晶矽线形成在动态随机存取记忆体之一逻辑电路区。11.一种相移式光罩,包括:一光罩基板;以及一相移层,位于该光罩基板上,该相移层使光在通过该相移式光罩时具有180度之相位移;包括一主要图形,具有一第一宽度;一辅助图形,具有一第二宽度,且以一距离平行于该主要图形,其中,该主要图形与该辅助图形使光在通过该相移式光罩时在晶圆上形成一复晶矽线图案。12.如申请专利范围第11项所述之相移式光罩,其中该光罩基板之材质包括石英。13.如申请专利范围第11项所述之相移式光罩,其中该相一层之材质包括钼矽之氮氧化物。14.如申请专利范围第11项所述之相移式光罩,其中该相移层为部分透光。15.如申请专利范围第11项所述之相移式光罩,其中该相移层之一透光率小于10%。16.如申请专利范围第11项所述之相移式光罩,其中在深紫外光作为曝光光源时,该第一宽度之一晶圆尺寸约为0.1-0.15m。17.如申请专利范围第16项所述之相移式光罩,其中该第二宽度约为0.055-0.090m。18.如申请专利范围第16项所述之相移式光罩,其中该距离约为0.22-0.27m。19.一种复晶矽线的制造方法,适用在一动态随机存取记忆体之一逻辑电路区,该制造方法包括:提供一半导体基底,该半导体基底上形成有一复晶矽层;在该复晶矽层上形成一光阻;利用一半调型相移式光罩图案化该光阻;以及利用图案化之该光阻定义该复晶矽层,形成一复晶矽线。20.如申请专利范围第19项所述之复晶矽线的制造方法,其中该相移式光罩包括一光罩基板;以及一相移层,位于该光罩基板上,该相移层使光在通过该相移式光罩时具有180度之相位移;包括一主要图形,具有一第一宽度;一辅助图形,具有一第二宽度,且以一距离平行于该主要图形,其中,该主要图形与该辅助图形使光在通过该相移式光罩时图案化该光阻成一复晶矽线。21.如申请专利范围第20项所述之复晶矽线的制造方法,其中该相移层之材质包括钼矽之氮氧化物。22.如申请专利范围第20项所述之复晶矽线的制造方法,其中该相移层之一透光率小于10%。23.如申请专利范围第20项所述之复晶矽线的制造方法,其中在以深紫外光为一曝光光源时,该第一宽度之一晶圆尺寸约为0.1-0.15m。24.如申请专利范围第23项所述之复晶矽线的制造方法,其中该第二宽度约为0.055-0.090m。25.如申请专利范围第23项所述之复晶矽线的制造方法,其中该距离约为0.22-0.27m。图式简单说明:第一图所示,为根据本发明一较佳实施例之半调型相移式光罩之剖面图;第二图所示,为根据本发明一较佳实施例半调型相移式光罩之上视图;以及第三图A-第三图B所示为利用本发明较佳实施例半调型性移式光罩形成复晶矽线之制造流程剖面图。 |
