发明名称 METHOD OF IMPROVED ESTIMATION OF CRITICAL DIMENSIONS IN MICROELECTRONIC FABRICATION
摘要 <p>L'invention concerne un procédé de fabrication consistant à traiter une pièce (100) dans une phase de traitement (105), à mesurer (110) une dimension critique de caractéristiques (205) formées sur ladite pièce à l'aide d'une structure d'essai (200) également formée sur cette pièce (100), ladite structure d'essai (200) comprenant plusieurs caractéristiques (205), et formant un signal de sortie (125) correspondant aux mesures de dimensions critiques (120). Le procédé consiste à réintroduire un signal de commande (135, 155) en fonction du signal de sortie (125) de façon à ajuster le traitement exécuté dans la phase de traitement (105), si le signal de sortie (125) correspondant aux mesures de dimensions critiques (120) indique qu'une valeur de tolérance prédéterminée a été dépassée (130, 150).</p>
申请公布号 WO2001022183(A1) 申请公布日期 2001.03.29
申请号 US2000012279 申请日期 2000.05.05
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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