| 发明名称 |
Method of planarizing an insulated layer in a semicondutor device |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2314455(B) |
申请公布日期 |
2001.03.28 |
| 申请号 |
GB19970012516 |
申请日期 |
1997.06.16 |
| 申请人 |
* HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. |
发明人 |
SANG YONG * KIM |
| 分类号 |
H01L21/304;H01L21/3105;(IPC1-7):H01L21/304 |
主分类号 |
H01L21/304 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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