| 主权项 |
1.一种用在积体电路的架构总成,包括有:一第一绝缘构件,其上布有数个接合基底与数个信号轨迹,其每个轨迹自该数个接合基底之一延伸,而有一副群组该数个接合基底位于延伸在第一平面内之该第一绝缘构件的表面;一第二绝缘构件,具有数个信号路径及其上布有数个接合垫,而有一副组合该数个接合垫位于延伸在第二平面内之该第二绝缘构件的表面,而该第一平面横向沿伸过该第二平面,且该第一绝缘构件于其内形成有数个孔径,该第二绝缘构件包括数个榫头,具有与该孔径的横截面互补的形状并布于其内,当该第一及第二绝缘构件达一最终座落位置,而每个该副组合的该接合垫置于该副群组的该接合基底之一的邻近。2.如申请专利范围第1项的架构总成,尚包括一传导性可熔合金,坚固地将该副组合的该接合垫之一附于该副群组的该接合基底之一。3.如申请专利范围第1项的架构总成,尚包括数个该第二绝缘构件。4.如申请专利范围第1项的架构总成,尚包括数个该第一绝缘构件。5.如申请专利范围第1项的架构总成,尚包括一臂骨自该表面延伸,而该臂骨置于相对于该第一绝缘构件之该表面的边缘附近。6.如申请专利范围第1项的架构总成,其中该第一及第二绝缘构件是由矽形成。7.如申请专利范围第1项的架构总成,其中第一群组该数个接合垫围住一区域的该第一绝缘构件及第二群组该数个相关于该第一群组接合垫的信号轨迹并自该区域远离,界定一非导电性面积,并尚包括一导通载体具有数个传导轨迹及数个传导结合面积,一第三群组的接合基底加在该第一群组的接合基底上,使得每个该第三群组的接合基底加在该第一群组的接合基底之一上,当置于最终静止位置时,而该数之一加在该非传导面积且延伸在一对该第三群组的接合面积间,以使该第一群组的一对该接合基底电气通讯。8.如申请专利范围第7项的架构总成,其中该积体电路耦合至该导通载体的剩余接合面积并置于其上以加在该非传导面积上。9.如申请专利范围第7项的架构总成,其中该积体电路耦合至该导通载体的剩余接合垫且该非传导面积包括一孔径,其面积超过该积体电路的横截面积,该积体电路置于该导通载体上以安装在该孔径内,一旦该导通载体与该绝缘构件达一最终座落位置。10.一种用在积体电路的架构总成,包括有:一第一绝缘构件,其上布有数个接合基底与数个信号轨迹,其每个轨迹自该数个接合基底之一延伸,而有一副群组该数个接合基底位于延伸在第一平面内之该第一绝缘构件的表面;数个第二绝缘构件,其每个包括一面,具有数个信号路径且其上布有数个接合垫,该面由一周边环绕并在一横至该第一平面的第二平面内延伸,而一对榫头自该周边延伸,该第一绝缘构件具有数个于其中形成之相隔的孔径,而每个该数个第二绝缘构件的每个该数个榫头布于该数个相隔的孔径内而每个该数个第二绝缘构件自该第一绝缘构件平行延伸至相邻的第二绝缘构件一旦该第二绝缘构件及该第一绝缘构件达到一最终座落位置,而每个该副组合的副接合垫布于该副群组的该接合基底之一邻近。11.如申请专利范围第10项的架构总成,尚包括一传导性可熔合金,坚固地将该副组合的该接合垫之一附于该副群组的该接合基底之一。12.如申请专利范围第11项的架构总成,尚包括一臂骨自该表面延伸,而该臂骨置于相对于该第一绝缘构件之该表面的边缘附近。13.如申请专利范围第12项的架构总成,该数个接合基底安排为一群组,其每个以相关于每个该数个群组的信号轨迹围住一区域的该第一绝缘构件,形成多个区域,使自该区域远离,界定一非导电性面积,并尚包括数个导通载体,其每个具有数个传导轨迹及数个传导结合面积,一该传导接合面积的副部分加在该数个接合基底的该群组上,使得每个该传导接合面积的副部分加在该数个接合基底的该群组之一上,当置于最终静止位置时,而该数个传导轨迹之一加在该非传导面积且延伸在一对该第三群组的一组接合面积间,以使该第一群组的一对该接合基底电气通讯。14.如申请专利范围第13项的架构总成,其中该积体电路耦合至该导通载体的剩余接合面积并置于其上以加在该非传导面积上。15.如申请专利范围第14项的架构总成,其中该非传导面积包括一孔径,其面积超过该积体电路的横截面积,该积体电路置于该导通载体上以安装在该孔径内,一旦该导通载体与该绝缘构件达一最终座落位置。16.如申请专利范围第15项的架构总成,其中该第一绝缘构件及每个该数个第二绝缘构件是由矽形成。17.一种在第一及第二绝缘构件上导通信号路径的方法,包括步骤如下:在该第一绝缘构件上沈淀数个相隔的接合基底及数个信号轨迹,而每个数个信号轨迹自该数个接合基底之一延伸,且相邻接合基底间的距离界定出一第一间距,该第一绝缘构件包括一位于第一平面内的表面,而该数个接合基底及该数个信号轨迹位于第一平面内;在该第二绝缘构件上沈淀数个相隔的接合垫及数个信号路径,而每个数个信号路径自该数个接合垫之一延伸,且相邻接合垫间的距离界定出一第二间距,该第二绝缘构件包括一位于第二平面内的表面,而该数个接合垫及该数个信号路径位于第二平面内;在该第一绝缘构件内形成数个在第一个预定的偏差内之相隔的孔径;在该第二绝缘构件内形成数个在第二个预定的偏差内之相隔的孔径,而每个该数个相隔的榫头适于安装至该数个相隔的孔径之一;且耦合该第一及第二绝缘构件在一起,而该第一及第二间距决定为该第一及第二预定偏差的函数。18.如申请专利范围第17项的方法,其中每个该数个接合垫位于该数个接合基底之一邻近于该耦合步骤之后,且进一步包括焊封每个该数个接合基底至其邻近的该数个接合垫之步骤。19.如申请专利范围第17项的方法,其中该第二绝缘构件包括一周边,而每个该数个榫头自该周边延伸,而在该耦合步骤之后该第一及第二平面彼此垂直放置。20.如申请专利范围第17项的方法,其中该第一及第二绝缘构件是由矽化合物形成。图式简单说明:第一图显示如本发明之系统,用以有效相互连结ICs之不同元件的立体图;第二图A-第二图C分别显示板上IC/载体副总成的预视图、IC/载体副总成的侧视图与板上IC/载体副总成的侧视图;第三图显示载体上一组示范的电气相互连结;第四图为如上第三图所示之载体的横截面图;第五图A-第五图B分别显示架设在载体上的单一IC与架设在载体上的多个ICs;第六图显示如本发明之方法以有效相互连结ICs的步骤;第七图显示如本发明另一个方法以有效相互连结ICs的步骤;第八图为一如本发明之载体晶圆的简化平视图;第九图为显示在第八图中载体晶圆的部分之详细平视图;第十图为一microrack总成的透视图;第十一图为如本发明另一个应用实施例microrack总成的透视图;第十二图为如本发明第二个应用实施例microrack总成的透视图; |
