发明名称 掩模式只读存储器的程序化方法
摘要 一种有较大制造窗口的掩模式只读式存储器的程序化方法,其特征在于将原本用于离子注入程序化方法的程序掩模A,利用逻辑运算的原理一分为两个图案极为平均的C掩模及D掩模,而后以此C掩模及D掩模的与来取代原来的A掩模,由于C掩模及D掩模的与等于原程序掩模A,因此程序化后所得的结果,仍然等同于单独于使用A掩模,而由于C掩模及D掩棋本身图案的平均性;因此对于调整曝光时的参数而言,便能有较单独使用A掩模时更大的制造窗口,且增加制造上的成功率。
申请公布号 CN1286494A 申请公布日期 2001.03.07
申请号 CN99118196.4 申请日期 1999.08.30
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 汪炳颖;张瑞钦;杨俊仪;林春荣;王明宗
分类号 H01L21/027;H01L21/266;H01L21/8246;G06F17/50 主分类号 H01L21/027
代理机构 柳沈知识产权律师事务所 代理人 黄敏
主权项 1.一种增大制造窗口的方法,该方法包含如下步骤:(1)取一A掩模;(2)将该A掩模的图形转为一程序码A;(3)设一转译码B,该转译码B为“0”,“1”交错的程序码;(4)将该程序码A与该转译码B,互取或,而得到一程序码C;(5)将该程序码A与该转译码B的反转码B′(inversion code),互取或,而得到程序码D;(6)依该程序码C制作出一C掩模;(7)依该程序码D制作出一D掩模;(8)利用该C掩模和该D掩模的与,得到与单独使用该A掩模相同的曝光结果;由此,利用上述步骤,得以得到两组图案平均的该C掩模及该D掩模,以增大制造窗口。
地址 台湾省新竹科学工业园区