发明名称 电浆中微粒子粉末之处理方法及其装置
摘要 本发明,系将被处理基材配置高真空容器内,当在该高真空容器生成电浆之同时,将适宜反应性物质导入该高真空容器内进行前述被处理基材之处理时,生成于前述高真空容器内之电浆中微粒子粉末之处理方法者,其特征在于:除了用来进行前述电浆生成之电极以外,更在前述高真空容器内之被处理基材之周围至少设量一个收集电极;对于该收集电极,适宜地外加直流或交流之给定电位。藉此,有效地除去电浆中之生成微粒子,以解除对于真空容器内壁之堆积问题及随微粒子之流入而产生之加工精度和膜质之劣化问题。
申请公布号 TW424266 申请公布日期 2001.03.01
申请号 TW088111936 申请日期 1999.07.14
申请人 东北泰克诺亚奇股份有限公司 发明人 佐藤德芳;饭塚哲;内田仪一郎
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种电浆中微粒子粉末之处理方法,其系将被处理基材配置在高真空容器内,当在该高真空容器内生成电浆之同时,将适宜反应性物质导入该高真空容器内进行前述被处理基材之处理时,生成于前述高真空容器内的电浆中微粒子粉末之处理方法者;其特征在于:除了用来进行前述电浆生成之电极以外,更在前述高真空容器内之被处理基材之周围至少设置一个收集电极;对于该收集电极,适宜地外加直流或交流之给定电位。2.一种电浆中微粒子粉末之处理装置,其系将被处理基材配置在高真空容器内,当在该高真空容器内生成电浆之同时,将适宜反应性物质导入该高真空容器内进行前述被处理基材之处理时,生成于前述高真空容器内的电浆中微粒子粉末之处理装置者;其特征在于:除了用来进行前述电浆生成之电极以外,更由设在前述高真空容器内之被处理基材周围的至少一个收集电极、及可把直流或交流之给定电位适宜地外加于该收集电极之通电机构所构成。3.如申请专利范围2项所述之电浆中微粒子粉末之处理装置,其特征在于:将前述收集电极作成,具有一将所收集之微粒子存积于其内部之存积空间、及一用来连通该存积空间与高真空容器内的开口之构造。4.如申请专利范围第2或3项所述之电浆中微粒子粉末之处理装置,其特征在于:在前述开口周围,设置一微粒子引入电极,此引入电极系与前述收集电极绝缘,且可适宜地外加比前述收集电极之电位更高之电位。5.如申请专利范围第2项所述之电浆中微粒子粉末之处理装置,其特征在于:将前述收集电极作成,围绕前述被处理基材的连续或不连续之环形。6.如申请专利范围第5项所述之电浆中微粒子粉末之处理装置,其特征在于:前述开口,系设在该作成前述环形之收集电极的内周侧。7.如申请专利范围第3项所述之电浆中微粒子粉末之处理装置,其特征在于:前述收集电极,系配置在跟被处理基材大致同一高度之位置;前述开口,系形成在收集电极之上面。8.如申请专利范围第2项所述之电浆中微粒子粉末之处理装置,其特征在于:在前述高真空容器内,备有一可动地保持前述收集电极的收集电极移动机构。9.如申请专利范围第2项所述之电浆中微粒子粉末之处理装置,其特征在于:备有一将前述存积空间之气体及微粒子向高真空容器外排出之排气机构。10.如申请专利范围第2项所述之电浆中微粒子粉末之处理装置,其特征在于:将前述收集电极作成装卸自如。图式简单说明:第一图为一方块图,系显示备有本发明实施例1之电浆中微粒子粉末处理装置的电浆蚀刻装置之构成;第二图系显示用于本发明实施例的真空容器及其内部构造;第三图为一侧断面图,系显示用于本发明实施例1之真空容器内部的微粒子粉末之除去情况;第四图为斜视断面图,系显示用于本发明实施例1之收集电极的构造;第五图为一侧断面图,系显示本发明之其他实施形态的徵粒子粉末之除去情况;第六图为一斜视断面图,系显示本发明之其他实施形态的收集电极之构造;第七图为一方块图,系显示备有本发明实施例2之电浆中微粒子粉末处理装置的电浆蚀刻装置之构成;第八图系显示用于本发明实施例2之真空容器及其内部构造;第九图为一斜视断面图,系显示用于本发明实施例2之收集电极的构造。
地址 日本
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