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<p>Erfindungsgemäss wird ein Verfahren zur gleichzeitigen Herstellung von Speicherkondensatoren und zumindest einer Isolation bereitgestellt, wobei die durch die jeweils gleichen Prozessschritte erzielten Strukturen in unterschiedlichen Bereichen des Substrats unterschiedlichen Funktionen dienen. In einem ersten Bereich werden auf diese Weise eine Vielzahl von Speicherkondensatoren erzeugt, während in einem zweiten Bereich die im wesentlichen gleiche Struktur als Isolation verwendet wird. Da Speicherkondensatoren in der Regel sehr tiefe Gräben (> 2 νm) benötigen, kann auf diese Weise, ohne zusätzlichen Prozessaufwand, eine sehr gute Isolation erzeugt werden.</p> |
