| 发明名称 |
REDUCTION OF RESIST POISONING |
| 摘要 |
A silicon-rich layer is provided beneath a resist to prevent resist poisoning by an underlying device layer.
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| 申请公布号 |
WO0109683(A1) |
申请公布日期 |
2001.02.08 |
| 申请号 |
WO2000US20383 |
申请日期 |
2000.07.26 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP. |
发明人 |
LEE, GILL, YONG |
| 分类号 |
G03F7/004;G03F7/09;G03F7/16;(IPC1-7):G03F7/09 |
主分类号 |
G03F7/004 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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