发明名称 Gasphasenabscheidungsverfahren in einer einzigen Kammer für Dünnfilmtransistoren
摘要
申请公布号 DE69424759(T2) 申请公布日期 2001.02.08
申请号 DE1994624759T 申请日期 1994.11.22
申请人 APPLIED MATERIALS, INC. 发明人 LAW, KAM;ROBERTSON, ROBERT;FENG, GUOFU JEFF
分类号 C23C16/44;H01L21/205;H01L21/336;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/205 主分类号 C23C16/44
代理机构 代理人
主权项
地址