制造半导体芯片凸块的方法

摘要

通过多次光刻工艺，为形成光致抗蚀剂图形，各自的光致抗蚀剂溶液选用正性和／或者负性的溶液，采用限定凸块形成区域的适当图形掩模，通过曝光形成光致抗蚀剂图形，由此，在半导体芯片的金属阻挡层上形成凸块。由于制造的凸块上部与其下部相等或者小于下部，在ＴＡＢ封装内引线焊接期间，各凸块互相不会接触，即使由于产生的压力使凸块上部伸延也不会互相接触。采用多次光刻工艺，形成限定凸块区域的光致抗蚀剂图形，结果使凸块具有大的高宽比率。$#!

主权项

1．一种在半导体基片焊接区上面，制造有预定形状的半导体芯片凸块的方法，包括下述步骤：在所述焊接区上涂覆第一光致抗蚀剂层，用以在所述半导体基片的焊接区上限定一凸块形成区；曝光所述第一光致抗蚀剂层；在所述曝光后的第一光致抗蚀剂层上涂覆一第二光致抗蚀剂层；曝光所述第二光致抗蚀剂层的一部分，并通过一图形掩模进一步曝光所述经曝光的第一光致抗蚀剂层的一部分；通过显影所述曝光的第1和第2光致抗蚀剂层，形成一个光致抗蚀剂图形；在所述的光致抗蚀剂图形限定的所述凸块形成区上，形成具有预定图形的所述半导体芯片凸块；以及在形成所述半导体芯片凸块后，去掉所述光致抗蚀剂图形。