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<p>본 고안은 이피롬의 쓰기 회로에 관한 것으로, 종래 기술에 있어서 다중 바이트 쓰기시 동시에 여러 개의 셀에 데이터를 쓰기 때문에 단일 바이트 쓰기시보다 많은 전류가 전압 강하용 트랜지스터를 통해 공급됨에 따라 전류 로드가 커짐으로써, 각각 셀의 드레인에 공급되는 전압이 상기 전압 강하용 트랜지스터의 전류 로드에 의해 과도하게 강하되어 쓰기 동작이 이루어지지 않는 문제점이 있었다. 따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 다중 바이트 쓰기시 전압 강하용 트랜지스터를 여러개 구비하여 각각 선택된 셀의 드레인에 연결되어 단일 바이트 쓰기시와 동일하게 쓰기 동작을 수행하여 상기 전원 강하용 트랜지스터의 전류 로드를 최소화함으로써, 상기 셀에 공급되는 전압의 과도한 강하를 방지하여 쓰기 특성을 향상시키는 효과가 있다.</p> |
