| 发明名称 | 半导体存储元件的电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在电介质膜和上部电极之间具有台阶覆盖好的导电性阻挡层的半导体存储元件的电容器。本发明的特征在于,包括,在半导体衬底上形成下部电极的工序;对所述下部电极的表面进行氮化处理、以便阻止在该表面的自然氧化膜产生的工序;在所述下部电极上形成作为电介质膜的Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>膜的工序;在所述Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>膜上形成由氮化硅膜构成的导电性阻挡层的工序;以及在所述导电性阻挡层上形成上部电极的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1280392A | 申请公布日期 | 2001.01.17 |
| 申请号 | CN00124028.5 | 申请日期 | 2000.07.02 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 朱光喆;李起正;韩一根 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L27/04;H01L21/70;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 范明娥 |
| 主权项 | 1．一种半导体存储元件的电容器，包括：下部电极；在所述下部电极表面上形成的抑制自然氧化膜用的氮化硅膜；在所述氮化硅膜上形成的电介质膜；和在所述电介质膜上形成的上部电极，其特征在于，所述电介质膜是Ta2O5膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||