| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine durch Feldeffekt gesteuerte vertikale Halbleiter-Struktur mit wenigstens einem Driftgebiet (2) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, wenigstens einem Sourcebereich (6) zum Einspeisen von Ladungsträgern in das Driftgebiet (2), der mit einem Bereich (4) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp verbunden ist, wenigstens einer Drain-Elektrode (9) zum Absaugen der Ladungsträger aus dem Driftgebiet (2), wenigstens einer Gate-Elektrode (3) zum Steuern des Stromes der Ladungsträger zwischen wenigstens einem der Sourcebereiche (6) und einer der Drain-Elektroden (9). Um das Bauelement robuster zu machen, so daß ein Durchbruch nicht unmittelbar zu einer irreversiblen Schädigung des Bauelements führt, ist ein Zusatzbereich (10) von dem ersten Leitfähigkeitstyp in dem Driftgebiet (2) vorgesehen, wobei der Zusatzbereich (10) höher dotiert ist als das umgebende Driftgebiet (2).</p> |
