发明名称 |
ELECTRIC SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH A CONTACT HOLE |
摘要 |
Ein elektrisches Halbleiterbauelement umfasst ein einkristallines Halbleitersubstrat, zum Beispiel aus Silicium, eine an wenigstens einer Stelle von einem Kontaktloch (30) durchbrochene, an der Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) angeordnete Isolationsschicht (6) und ein das Halbleitersubstrat (1) durch das Kontaktloch (30) berührendes Kontaktelement aus einem Material wie zum Beispiel Aluminium, in dem das Halbleitermaterial des Substrats in einem anisotropen Lösevorgang löslich ist. Die Ränder des Kontaktlochs (30) sind als Diffusionsstoppstrukturen ausgebildet.
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申请公布号 |
WO0103195(A1) |
申请公布日期 |
2001.01.11 |
申请号 |
WO2000DE02113 |
申请日期 |
2000.07.03 |
申请人 |
ROBERT BOSCH GMBH;GOERLACH, ALFRED;GEBHARD, MARION |
发明人 |
GOERLACH, ALFRED;GEBHARD, MARION |
分类号 |
H01L21/28;H01L21/768;H01L29/04;(IPC1-7):H01L29/41 |
主分类号 |
H01L21/28 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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