Semiconductor switching device, particularly for high current inverter with low intermediate circuit voltage

摘要

Für einen fertigungstechnisch einfachen sowie niederinduktiven und dabei kompakten Aufbau eines Umrichters sind zwischen einer Haupt-Kühlfläche (KF) und einer dazu beabstandeten Zwischenkreis-Leiterplatte (ZP) mit dieser kontaktierte Zwischenkreis-Bauelemente (C;L) und Leistungs-Bauelemente (T) mit integrierter rückseitiger Einzel-Kühlfläche (TF) zu der Haupt-Kühlfläche (KF) schräggestellt angeordnet und, vorzugsweise über ein angepaßtes Wärme-Leitstück (WL), mit dieser in Wärmeableitung gebracht. <IMAGE>