发明名称 兼作显示装置用之影像感知装置
摘要 本发明目的在于提供一种,使用兼具发光元件及受光元件功能之薄膜光电转换元件之主动矩阵型显示装置之使用,以及作为影像感知器使用等双方为可能之兼作显示装置用之影像感知装置。配置成矩阵状之任一画素(PX)系由:具介由扫描线(gate)供给有扫描信号之第1导通控制电路(SWA)、及介由该电路电连接第1配线(D21)与第2配线(D22)的发光、受光可能之第1薄膜光电转换元件11A的第1画素部(PXA);及具介由相同之扫描线(gate)供给有扫描信号之第2导通控制电路(SWB),及介由该电路电连接第1配线(D2 l)与第3配线(D23)的发光、受光可能之第2薄膜光电转换元件(11B)的第2画素部(PXB)构成。
申请公布号 TW417076 申请公布日期 2001.01.01
申请号 TW087114479 申请日期 1998.09.01
申请人 精工爱普生股份有限公司 发明人 小泽德郎
分类号 G09G3/30 主分类号 G09G3/30
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种兼作显示装置用之影像感知装置,其特征为:具有配置成矩阵状之多数画素;及用于供给扫描信号俾依序选择该画素的扫描线;及作为对上述扫描信号所选择画素进行发光或受光之信号线使用的第1-第3配线;上述画素系系具备:第1画素部,其具有介由上述扫描线供给有上述扫描信号之第1导通控制电路,及介由该第1导通控制电路连接上述第1配线与上述第2配线之发光/受光可能的第1薄膜光电转换元件;及第2画素部,其具有介由上述扫描线供给有上述扫描信号之第2导通控制电路,及介由该第2导通控制电路连接上述第1配线与上述第3配线的发光/受光可能之第2薄膜光电转换元件。2.如申请专利范围第1项之兼作显示装置用之影像感知装置,其中上述第1及第2导通控制电路系分别由闸极供给有上述扫描信号之薄膜电晶体所构成;上述第1导通控制电路之上述薄膜电晶体,其源极汲极领域之一方接于上述第2配线之同时,另一方接于上述第1薄膜光电转换元件之画素电极;上述第2导通控制电路之上述薄膜电晶体,其源汲极领域之一方接上述第3配线之同时,另一方接上述第2薄膜光电转换元件之画素电极。3.如申请专利范围第2项之兼作显示装置用之影像感知装置,其中具有切换电路,俾于上述薄膜光电转换元件作为发光元件使用时,将上述第2及第3配线之中该薄膜光电转换元件所连接配线及点亮/点灭控制用信号之输出电路予以连接,而上述薄膜光电转换元件作为受光元件使用时,系将上述第2及第3配线之中该薄膜光电转换元件所连接配线及光电流检测电路予以连接;上述第1配线系接于定电压电源。4.如申请专利范围第1项之兼作显示装置用之影像感知装置,其中上述第1导通控制电路及第2导通控制电路系分别由闸极供给有上述扫描信号之第1薄膜电晶体,及闸极介由该第1薄膜电晶体接于上述第1配线之第2薄膜电晶体所构成;上述第1导通控制电路之上述第2薄膜电晶体,系令源极汲极领域之一方连接上述第2配线之同时,令另一方连接上述第1薄膜光电转换元件之画素电极;上述第2导通控制电路之上述第2薄膜电晶体,系令源极汲极领域之一方连接上述第3配线之同时,令另一方连接上述第2薄膜光电转换元件之画素电极。5.如申请专利范围第4项之兼作显示装置用之影像感知装置,其中具有切换电路,俾于上述薄膜光电转换元件作为发光元件使用时,将上述第2及第3配线之中该薄膜光电转换元件所连接配线及定电压电源予以连接,而上述薄膜光电转换元件作为受光元件使用时,系将上述第2及第3配线之中该薄膜光电转换元件所连接配线及光电流检测电路予以连接;上述第1配线,系接于控制上述第2薄膜电晶体之导通状态之信号之输出电路。6.如申请专利范围第1-5项中任一项之兼作显示装置用之影像感知装置,其中上述第1薄膜光电转换元件之画素电极之形成领域,与上述第2薄膜光电转换元件之画素电极之形成领域系互有嵌入包围。7.如申请专利范围第1-5项中任一项之兼作显示装置用之影像感知装置,其中上述第1薄膜光电转换元件之画素电极之形成领域,及上述第2薄膜光电转换元件之画素电极之形成领域,系与将该画素电极之外框作直线区隔之构造成比例使双方之重心位置呈现接近。8.如申请专利范围第1-5项中任一项之兼作显示装置用之影像感知装置,其中上述第1薄膜光电转换元件之画素电极之形成领域系被上述第2薄膜光电转换元件之画素电极之形成领域所包围。9.一种兼作显示装置用之影像感知装置,其特征为:具有配置成矩阵状之多数画素;及用于供给扫描信号俾依序选择该画素的扫描线;及作为对上述扫描信号所选择画素进行发光或受光之信号线使用的第1-第3配线;上述画素系系具备:第1画素部,其具有介由上述扫描线供给有上述扫描信号之第1导通控制电路,及介由该第1导通控制电路连接上述第1配线与上述第2配线之发光/受光可能的第1薄膜光电转换元件;及第2画素部,其具有介由上述扫描线供给有上述扫描信号之第2导通控制电路,及介由该第2导通控制电路连接上述第1配线与上述第3配线的发光/受光可能之第2薄膜光电转换元件;上述第1薄膜光电转换元件之画素电极之形成领域之重心及上述第2薄膜光电转换元件之画素电极之形成领域之重心与该画素电极之尺寸比较系呈现非常接近。10.如申请专利范围第1.2.3.4.5或9项中任一项之兼作显示装置用之影像感知装置,其中于上述第1薄膜光电转换元件之画素电极,与上述第2薄膜光电转换元件之画素电极之间形成有遮光层。图式简单说明:第一图:本发明实施形态1之作为兼作显示装置用之影像感知装置使用之主动矩阵之等效电路图。第二图:第一图之兼作显示装置用之影像感知装置之主动矩阵所构成之多数画素中之1个之扩大之平面图。第三图(A)、第三图(B):分别为第二图之画素所形成之各元件之构造之断面图。第四图(A)、第四图(B):分别为第一图之兼作显示装置用之影像感知装置之主动矩阵中供至邻接之画素之扫描信号等之波形图。第五图:本发明实施形态2之兼作显示装置用之影像感知装置使用之主动矩阵之等效电路图。第六图:第五图之兼作显示装置用之影像感知装置之主动矩阵所构成之多数画素中之1个之扩大平面图。第七图(A)、第七图(B):分别为第六图之画素所构成之各元件之构造之断面图。第八图(A)、第八图(B):分别为第五图之兼作显示装置用之影像感知装置之主动矩阵中供至邻接2画素之扫描信号等之波形图。第九图(A)、第九图(B):分别为本发明实施形态3之兼作显示装置用之影像感知装置中主动矩阵之各画素所形成之2个画素电极之形成领域之说明图。第十图:分别为本发明实施形态4之兼作显示装置用之影像感知装置中主动矩阵之各画素所形成之2个画素电极之形成领域之说明图。第十一图(A):分别为本发明实施形态5之兼作显示装置用之影像感知装置中主动矩阵之各画素所形成之2个画素电极之形成领域之说明图。第十一图(B):第十一图(A)之构成时之作用、效果之说明图。
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