电路元件内藏模组及其制造方法

摘要

本发明系提供一种藉由使用含有无机充填剂与热硬化性树脂之混合物所构成的电绝缘性基板，而使其可高密度地组装电路元件，且具有高可靠性之电路元件内藏模组及其制造方法。其包含有一电绝缘性基板401、一形成于前述电绝缘性基板401之一主面及其内部的配线图案402a、402b、402c、及402d、一配置于该电绝缘性基板401内部并与该配线图案连接的电路元件403、及一与该配线图案402a、402b、402c、及402d电性连接的内部通路404。该电绝缘性基板401系由一含有无机充填剂70重量%~95重量%与热硬化性树脂之混合物所形成。

主权项

1.一种电路元件内藏模组,包含有: 电绝缘性基板,由含有无机充填剂70重量%-95重量% 与热硬化性树脂之混合物所形成; 复数个配线图案,系形成于前述电绝缘性基板之主 面上; 电路元件,配置于前述电绝缘性基板之内部,且电 性连接于前述配线图案;及 内部通路,形成于前述电绝缘性基板内,以使前述 复数配线图案电性连接。2.如申请专利范围第1项 之电路元件内藏模组,其中该电路元件包含主动元 件,且内部通路 系由导电性树脂组成物所构成。3.如申请专利范 围第1项之电路元件内藏模组,其中前述配线图案 亦形成于前述电绝缘性基 板之内部。4.如申请专利范围第1项之电路元件内 藏模组,其中前述电路元件系藉由前述电绝缘性基 板 来阻绝外部空气。5.如申请专利范围第1项之电路 元件内藏模组,其中前述热硬化性树脂系包含择自 环氧树脂 、酚树脂、氰酸盐树脂中的至少一种热硬化性树 脂。6.如申请专利范围第1项之电路元件内藏模组, 其中前述无机充填剂系包含择自Al2O3.MgO 、BN、AlN、及SiO2中的至少一种无机充填剂。7.如 申请专利范围第1项之电路元件内藏模组,其中前 述无机充填剂之平均粒子径系为0.1 m-100m。8.如申请专利范围第1项之电路元件内藏 模组,其中前述配线图案系包含择自铜、及导电性 树脂组成物中的至少一种导电性物质。9.如申请 专利范围第1项之电路元件内藏模组,其中前述配 线图案系由以蚀刻法或冲孔法所 形成之金属板的导线框所构成。10.如申请专利范 围第1项之电路元件内藏模组,其中前述电路元件 系包含择自晶片状电阻、 晶片状电容、晶片状电感中的至少一种元件。11. 如申请专利范围第1项之电路元件内藏模组,其中 前述混合物系更包含择自分散剂、着色 剂、耦合剂、及离塑剂中的至少一种添加剂。12. 如申请专利范围第1项之电路元件内藏模组,其中 前述电绝缘性基板的线膨胀系数为810-6/℃-2010-6 /℃,且该电绝缘性基板的热传导度系为1w/mK-10w/mK 。13.如申请专利范围第2项之电路元件内藏模组, 其中前述主动元件系包含半导体裸晶片,其 中该半导体裸晶片系以倒装片的方式接合于前述 配线图案上。14.如申请专利范围第2项之电路元件 内藏模组,其中前述导电性树脂组成物包含有导电 成份 、及树脂成份,导电成份系含有择自金、银、铜、 及镍中选出之一种金属的金属粒子,而该 树脂成份系为环氧树脂。15.一种电路元件内藏模 组的制造方法,包含有: 第1板状体形成制程,系将含有无机充填剂70重量%- 95重量%与未硬化状态之热硬化性树脂 的混合物加工成具有贯通孔之第1板状体; 第2板状体形成制程,系将热硬化性之导电性物质 充填于前述贯通孔,据以形成贯通孔中充 填有热硬化性导电物质的第2板状体; 组装制程,系将电路元件组装于第1膜之配线图案 部份; 第3板状体形成制程,系在前述第1膜之电路元件的 组装侧将前述第2板状体对齐,使其相互 叠合,并在该第2板状体之上叠合具有配线图案部 份的第2膜,之后再对其加压,据以形成埋 设有电路元件的第3板状体;及 第4板状体形成制程,系将前述第3板状体加热,据以 使前述热硬化性树脂及前述导电性物质 硬化,而形成第4板状体。16.如申请专利范围第15项 之电路元件内藏模组的制造方法,其中前述电路元 件包含主动元 件,且该导电性物质系由导电性树脂组成物所构成 。17.如申请专利范围第15项之电路元件内藏模组 的制造方法,前述第1及第2膜系由铜箔所构 成,且更进一步包含有在形成第4板状体之后,将前 述配线图案部份以外的铜箔除去,据以 形成配线图案之制程。18.如申请专利范围第15项 之电路元件内藏模组的制造方法,其中前述第1及 第2膜系由主面 形成有配线图案之离型薄膜所构成,且更进一步包 含在形成第4板状体之后,将前述离型薄 膜自该第4板状体剥离之制程。19.如申请专利范围 第15项之电路元件内藏模组的制造方法,系更进一 步包含在将前述电路 元件组装于前述配线图案部份后,于前述电路元件 与前述配线图案之间注入封止树脂之制程 。20.如申请专利范围第15项之电路元件内藏模组 的制造方法,其中将前述热硬化性树脂及导 电性物质加热使其硬化时之温度系为150℃以上、 260℃以下。21.如申请专利范围第15项之电路元件 内藏模组的制造方法,其中将前述热硬化性树脂及 导 电性物质加热使其硬化时,系边加热边以10Kg/cm2-200 Kg/cm2的压力加压。22.如申请专利范围第15项之电 路元件内藏模组的制造方法,其中前述第1板状体 形成制程更 进一步包含有在前述混合物形成板状之后,以比前 述热硬化性树脂之硬化温度还低的温度来 进行该板状混合物的热处理,藉以除去该板状混合 物黏着性的热处理制程。23.如申请专利范围第15 项之电路元件内藏模组的制造方法,其中将前述电 路元件埋设于该 第2板状体据以形成前述第3板状体的制程,系于较 前述热硬化性树脂之硬化温度还低的温度 下进行。24.如申请专利范围第15项之电路元件内 藏模组的制造方法,其中将前述电路元件组装于前 述配线图案上的组装制程系以焊锡将该电路元件 及配线图案电性-机械连接。25.如申请专利范围第 16项之电路元件内藏模组的制造方法,其中将前述 主动元件组装于前 述配线图案上的组装制程系以导电性黏着剂将该 主动元件之黄金突块及配线图案电性连接。26.一 种电路元件内藏模组的制造方法,系具有多层构造 之电路元件内藏模组的制造方法, 其特征在于,包含有: 第1板状体形成制程,系将含有无机充填剂70重量%- 95重量%与未硬化之热硬化性树脂的混 合物加工成具有贯通孔之第1板状体; 第2板状体形成制程,系将热硬化性之导电性物质 充填于前述贯通孔,据以形成贯通孔中充 填有热硬化性导电物质的第2板状体; 组装制程,系于离型薄膜之一主面上形成配线图案 ,并将电路元件组装于该配线图案上; 第3板状体形成制程,系在位前述离型薄膜之主面 侧将前述第2板状体对齐,并使其相互叠合 ,之后再对其加压,据以形成埋设有电路元件的第3 板状体; 第4板状体形成制程,系将前述离型薄膜自前述第3 板状体剥离,据以形成第4板状体;及 第5板状体形成制程,系将复数个第4板状体对齐并 予以相互叠合,再对齐含有配线图案部份 的膜,且予以相互叠含,进而加压、加热,俾形成一 前述热硬化性树脂及导电性物质硬化之 具有多层构造的第5板状体。27.如申请专利范围第 26项之电路元件内藏模组的制造方法,前述电路元 件包含主动元件, 且前述导电性物质系由导电性树脂组成物所构成 。28.如申请专利范围第26项之电路元件内藏模组 的制造方法,其中含有配线图案部份的膜系 由铜箔所构成,且更进一步包含有在形成第5板状 体后,将前述配线图案部份以外的铜箔除 去,据以形成配线图案之制程。29.如申请专利范围 第26项之电路元件内藏模组的制造方法,其中含有 配线图案部份的膜系 由主面形成有配线图案之离型薄膜所构成,且更进 一步包含有在形成第5板状体之后,将前 述离型薄膜自第5板状体剥离之制程。30.如申请专 利范围第26项之电路元件内藏模组的制造方法,系 更进一步包含有在前述电路 元件组装于前述配线图案后,于前述电路元件与前 述配线图案间注入封止树脂之制程。31.如申请专 利范围第26项之电路元件内藏模组的制造方法,其 中将前述热硬化性树脂及导 电性物质加热使其硬化时之温度系为150℃以上、 260℃以下。32.如申请专利范围第26项所述之电路 元件内藏模组的制造方法,其中将前述热硬化性树 脂 及导电性物质加热使其硬化时,系边加热边以10Kg/ cm2-200Kg/cm2的压力加压。33.如申请专利范围第26项 之电路元件内藏模组的制造方法,其中前述第1板 状体形成制程更 进一步包含有在前述混合物形成板状之后,以比前 述热硬化性树脂之硬化温度还低的温度来 进行该板状混合物的热处理,藉以除去该板状混合 物黏着性的热处理制程。34.如申请专利范围第26 项之电路元件内藏模组的制造方法,其中将前述电 路元件埋设于前 述第2板状体据以形成前述第3板状体的制程,系于 较前述热硬化性树脂之硬化温度还低的温 度下进行。35.如申请专利范围第26项之电路元件 内藏模组的制造方法,其中将前述电路元件组装于 前 述配线图案上的组装制程系以焊锡将该电路元件 及配线图案电性-机械连接。36.如申请专利范围第 26项之电路元件内藏模组的制造方法,其中将前述 主动元件组装于前 述配线图案上的组装制程系以导电性黏着剂将该 主动元件之黄金突块及配线图案电性连接。图式 简单说明: 第一图为本发明之电路元件内藏模组之一实施形 态的斜视剖面图。 第二图为本发明之电路元件内藏模组制造方法之 一实施形态的制程说明图。 第三图为本发明之电路元件内藏模组制造方法之 另一实施形态的制程说明图。 第四图为本发明之电路元件内藏模组之另一实施 形态的斜视剖面图。 第五图为本发明之电路元件内藏模组制造方法之 再一实施形态的制程说明图。 第六图为本发明之电路元件内藏模组制造方法之 又一实施形态的制程说明图。