碳化矽成形体

摘要

本发明提供一种强度特性和热特性均优的CVD-SiC成形体所构成之碳化矽成形体。其系为以CVD法所制作之SiC成形体(CVD-SiC成形体)，SiC结晶成长方向之导热度为100~300W/m.K，内部组织的平均粒子直径为4~12μm。 SiC结晶成长方向之导热度和直角方向之导热度之比最好为1.10~1.40。

主权项

1.一种碳化矽成形体,其系为以CVD法所制作之SiC成 形体,SiC结晶成长方向之导热度为100 -300W/mK,内部组织的平均粒子直径为4-12m。2.如 申请专利范围第1项所述之碳化矽成形体,其中该 SiC结晶成长方向之导热度为150- 250W/mK。3.如申请专利范围第1项所述之碳化矽成 形体,其中该内部组织的平均粗子直径为5-8m。4. 如申请专利范围第1项所述之碳化矽成形体,其中 该SiC结晶成长方向之导热度和直角方向 之导热度之比为1.10-1.40。5.一种碳化矽成形体,其 系为以CVD法所制作之SiC成形体,SiC结晶成长方向之 导热度为150 -250W/mK,内部组织的平均粒子直径为5-8m,SiC结 晶成长方向之导热度和直角方向 之等热度之比为1.10-1.40。