| 主权项 |
1.一种矽基板之快速热处理方法,其包含一个快速热处理系统中处理矽基板于一种周围环境气体包含一种低浓度的反应气体。2.根据申请专利范围第1项所述之方法,其中,低浓度的反应气体是介于0.01毫米汞柱和3毫米汞柱分压的氧气。3.根据申请专利范围第2项所述之方法,其中,低浓度的反应气体是介于0.1毫米汞柱和1毫米汞柱分压的氧气。4.根据申请专利范围第1项所述之方法,其中,低浓度的反应气体是介于0.01毫米汞柱和3毫米汞柱分压的一氧化氮(N0)或一氧化二氮(N2O)。5.根据申请专利范围第4项所述之方法,其中,周围环境气体更包含介于0.01毫米汞柱和3毫米汞柱分压的氧气。6.根据申请专利范围第5项所述之方法,其中,氧气的分压是介于0.1毫米汞柱和1毫米汞柱7.根据申请专利范围第6项所述之方法,其中,一氧化氮或一氧化二氮的分压是介于0.1毫米汞柱和1毫米汞柱。8.根据申请专利范围第1项所述之方法,其中,低浓度的反应气体是介于0.01毫米汞柱和3毫米汞柱分压的氨。9.一种矽基板之快速热处理方法,其包含一个快速热处理系统中处理被氧化的矽基板于一种周围环境气体,其包含足够将被氧化的矽基板的蚀刻降至最低的相当量的反应气体。10.一种矽基板之快速热处理方法,其包含一个快速热处理系统中处理被氧化的矽基板于一种周围环境气体,其包含少于足够将被氧化的矽基板的蚀刻降至最低的最低量的反应气体。图式简单说明:第一图显示一个晶圆在接近一个大气压的周围环境气体中,以氧气的量为函数时在1050℃中被回火30秒的表面粗糙度,第二图显示一个晶圆在接近一个大气压的周围环境气体中,以氧气的量为函数时在1100℃中被回火30秒的表面粗糙度,第三图显示一个晶圆在接近一个大气压的周围环境气体中,以氧气的量为函数时在1150℃中被回火30秒的表面粗糙度,第四图显示一个晶圆在500ppm的氧气中,在1100℃中被回火30秒的表面粗糙度原子力显微镜图,第五图显示一个晶圆在250ppm的氧气中,在1100℃中被回火30秒的表面粗糙度图。 |
