| 摘要 |
<p>금형체결상태에서 공동공간을 형성하는 상하의 금형을 사용한 수지패키징 공정을 포함하는 IC모듈의 제조방법에 있어서, 수지패키징 공정을 IC칩이 탑재된 기판과, 평면으로 보아 도너츠형상으로 되어 있음과 동시에 전체로서 평평한 형상으로 된 권선코일을 공동공간내에 수용해서 용융수지를 주입하므로서 행한다. 또, 수지패키징 공정은, 기판에 안테나코일이 패턴형성되어 있는 것을 수지패키징 하는 경우에는, 기판에 공동공간의 높이와 동등 혹은 대략 동등한 높이를 갖는 스페이서를 형성하고, 이것을 공동공간내에 수용해서 용융수지를 주입하므로서 행한다. 기판에 스페이서를 형성하는 대신에 공동공간내에 수용된 기판을 흡인해도된다. 이와같은 제조방법에 의해 IC칩 및 안테나코일을 양호하게 보호할 수가 있다.</p> |
