| 主权项 |
1.一种制造薄膜电晶体之制程,其步骤包括:沈积一金属层于一绝缘基底上;定义和蚀刻该金属层以形成一闸极柱;沈积一闸极氧化层;沈积一未掺杂的非晶矽层;沈积一障蔽氧化层;蚀刻该障蔽氧化层以形成一覆盖该金属闸极之图案,且仅覆盖该金属闸极;沈积一N+非晶矽层;以第一能阶的雷射扫描该N+非晶矽层,并且将直接与该N+非晶矽层接触的该未掺杂的非晶矽层转变成N-非晶矽层;定义和蚀刻该N+非晶矽层,并且形成没有覆盖该闸极柱之电极;去除该障蔽氧化层;以及以比该第一能阶大的第二能阶雷射扫描所有裸露的表面,并且将所有包括该电极在内之裸露非晶矽转变成复晶矽。2.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该金属是选自铬、钼、钨以及铝所构成之族群。3.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该金属层之沈积厚度范围为2000-3000埃。4.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该闸极氧化属之沈积厚度范围为1000-2000埃。5.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该未掺杂的非晶矽层之沈积厚度范围为200-1000埃。6.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该障蔽氧化属之沈积厚度范围为1500-2000埃。7.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该N+非晶矽层之沈积厚度范围为100-500埃。8.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该雷射扫描步骤时之第一能阶范围为100-170mJ/cm2。9.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该雷射扫描步骤时之第二能阶范围为170-350mJ/cm2。10.一种制造具特定形状之薄膜电晶体之制程,其步骤包括:沈积一未掺杂的非晶矽层于一绝缘基底上;将该非晶矽层转变成一复晶矽层;定义和蚀刻该复晶矽层以形成一薄膜电晶体形状;以一闸极氧化层覆盖该具特定形状的复晶矽;沈积一金属层覆盖覆盖该闸极氧化层,然后再定义和蚀刻该金属层以形成一闸电极;蚀刻未被该闸电极所覆盖的所有闸极氧化层;沈积一N+非晶矽层;以第一能阶的雷射扫描该N+非晶矽层,并且将直接与该N+非晶矽层接触的该未掺杂的非晶矽层转变成N-非晶矽层;定义和蚀刻该N+非晶矽层,以形成源极接触电极和汲极接触电极;以及以比该第一能阶大的第二能阶雷射扫描所有裸露的表面,并且将所有直接与该源极和该汲极接触的N-非晶矽转变成N+非晶矽。11.如申请专利范围第11项所述之制程,其中该非晶矽之厚度范围为200-1000埃。12.如申请专利范围第11项所述之制程,其中将非晶矽转变程复晶矽过程时,更包括以一能阶范围为250-350mJ/em2之雷射进行扫描的步骤。13.如申请专利范围第11项所述之制程,其中该闸极氧化层之厚度范围为1000-2000埃。14.如申请专利范围第11项所述之制程,其中该金属是选自铬、钼、钨以及铝所构成之族群。15.如申请专利范围第11项所述之制程,其中该金属层之沈积厚度范围为2000-3000埃。16.如申请专利范围第11项所述之制程,其中该N+非晶矽层之厚度范围为100-500埃。17.如申请专利范围第11项所述之制程,其中雷射扫描时所用的该第一能阶范围为100-170mJ/cm2。18.如申请专利范围第11项所述之制程,其中雷射扫描时所用的该第二能阶范围为170-250mJ/cm2。图式简单说明:第一图显示的是根据本发明之第一实施例的制程,其中并显示有一被闸极氧化层、非晶矽层和氧化矽保护障蔽层所覆盖的金属闸极。第二图显示的是第一图在沈积一浓掺杂N+非晶矽层后的结构。第三图显示的是以雷射处理最上层。第四图显示的是形成源极和汲极区后的结构。第五图显示的是第二次雷射扫描步骤的施行。第六图显示的是根据本发明之第二实施例的制程起点,且其也显示利用雷射扫描使非晶矽层再结晶化。第七图显示的是闸极氧化层和闸极柱之沈积和形成。第八图显示的是在去除第七图所示之结构中所有未被保护的闸极氧化层。第九图显示的是以一N+非晶矽层覆盖第八图所示之结构。第十图显示的是使用雷射扫描使材料扩散趋入。第十一图显示的是已经形成源极和汲极后的结构。第十二图显示的是完整的结构,其包括有部份被转变成高导电区的复晶矽层。 |
