| 主权项 |
1.一种清洗表面具有金属层图案形成于其上之基板的方法,其特征是使用具有螯合功能的清洗溶液将金属污染物由基板清除之步骤。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该清洗溶液是一种包含具有螯合功能之羧酸水溶液。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该水溶液更包括一种螯合剂。4.如申请专利范围第2项或第3项其中之一所述之方法,其中该水溶液含有一种水溶性的羧酸、羧酸铵、以及具有胺官能机的羧酸。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该水溶性羧酸是一种醋酸、甲酸、柠檬酸或草酸。6.如申请专利范围第1sim3项其中之一所述之方法,其中该金属图案层是由一种过渡金属以及一种含矽或氮或氧其中之一的过渡金属构成。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该过渡金属是选自钛、钨、钴、镍和钽所构成之族群其中之一。8.如申请链范围第1sim3项其中之一所述之方法,其中该金属图案层具有包含复数金属次层的多层结构。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中每一个金属次层均由一过渡金属和一带有矽、氮和氧其中之一的过渡金属所构成。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该过渡金属是选自钛、钨、钴、镍和钽所构成之族群其中之一。11.如申请专利范围第1sim3项其中之一所述之方法,其中该金属污染物去除之步骤是在利用乾蚀刻步骤定义基底上之金属层以形成金属图案层后进行。12.如申请专利范围第1sim3项其中之一所述之方法,其中该金属污染物之去除步骤是在离子布植步骤后进行。13.一种可用于清洗具有金属图案层形成于其上之基板的清洁溶液,其特征是包含一种具有螯合功能的水溶液。14.如申请专利范围第13项所述之清洁溶液,其中该水溶液含有具螯合功能的羧酸。15.如申请专利范围第14项所述之清洁溶液,其中该水溶液更包括一种螯合剂。16.如申请专利范围第14项或第15项所述之清洁溶液,其中该水溶液包含有水溶性的羧酸、羧酸铵或具有胺官能基的羧酸其中之一。17.如申请专利范围第16项所述之清洁溶液,其中该水溶性羧酸是醋酸、甲酸、柠檬酸或草酸其中之一。18.如申请专利范围第13sim15项其中之一所述之清洁溶液,其中该金属图案层是由一种过渡金属以及一种含矽或氮或氧其中之一的过渡金属。19.如申请专利范围第13sim15项其中之一所述之清洁溶液,其中其中该金属图案层具有包含复数金属次层的多层结构。20.如申请专利范围第19项所述之清洁溶液,其中每一个金属次层均由一过渡金属和一带有矽、氮和氧其中之一的过渡金属所构成。图式简单说明:第一图显示的是一薄膜场效应电晶体。第二图A显示的是另一闸极氧化膜表面形成有一多层状闸电极之薄膜场效应电晶体,在利用习知的清洁溶液处理前的图式;第二图B显示的是利用习知的清洁溶液处理第二图A所示之薄膜场效应电晶体后的图式;第三图显示的是比较氮化钛薄膜在使用SPM、HPM和根据本发明之实施例所揭示的清洁溶液中的蚀刻率;第四图显示的是比较本发明之实施例所揭示的清洁溶液、SPM和HPM去除铁污染物的效果;第五图A显示的是一经过本发明之实施例所揭示的清洁溶液处理前的闸氧化层表面形成有一多层状闸极之薄膜场效应电晶体;以及第五图B显示的是在第五图A所示之薄膜场效应电晶体经根据本发明之实施例所揭示的清洁溶液处理后的图式。 |
