| 主权项 |
1.一种具有防锁死保护的积体电路阵列,该积体电路阵列至少包含:主动阵列,该主动阵列内包含多数个具有功能性的积体电路元件;及保护阵列,该保护阵列环绕并紧邻于该主动阵列之外,该保护阵列至少包含多数个电晶体,以保护该主动阵列之元件,防止元件之锁死。2.如申请专利范围第1项之阵列,其中上述之主动阵列至少包含记忆体阵列。3.如申请专利范围第1项之阵列,其中上述之主动阵列至少包含唯读记忆体(read onlymemory; ROM)阵列。4.如申请专利范围第1项之阵列,其中上述之保护阵列中之该多数个电晶体系与该主动阵列内之电晶体同时形成,且与该主动阵列内之电晶体具有相同之结构。5.如申请专利范围第1项之阵列,其中上述之多数个电晶体至少包含P型金氧半场效电晶体(PMOS)及N型金氧半场效电晶体(NMOS)。6.如申请专利范围第1项之阵列,其中上述之多数个电晶体包含至少一列之P型金氧半场效电晶体及至少一列之N型金氧半场效电晶体,环绕于该主动阵列之外。7.如申请专利范围第6项之阵列,其中上述之至少一列之N型金氧半场效电晶体系环绕于该至少一列之P型金氧半场效电晶体之外,两者间以第一隔离区域相间隔;该至少一列之P型金氧半场效电晶体则环绕于该主动阵列之外,两者间以第二隔离区域相间隔。8.如申请专利范围第6项之阵列,其中上述之至少一列之N型金氧半场效电晶体之接点与一电源相连,且该至少一列之P型金氧半场效电晶体之接点接地。9.如申请专利范围第6项之阵列,其中上述之至少一列之N型金氧半场效电晶体及上述之至少一列之P型金氧半场效电晶体之闸极,系用以做为该主动阵列内之记忆体阵列的参考字元线。10.如申请专利范围第6项之阵列,其中上述之至少一列之N型金氧半场效电晶体及上述之至少一列之P型金氧半场效电晶体之闸极,系与一电源相连或是接地。11.一种具有防锁死保护的积体电路阵列,该积体电路阵列至少包含:主动阵列,该主动阵列内包含多数个具有功能性的积体电路元件,该主动阵列至少包含唯读记忆体(read only memory; ROM)阵列;及保护阵列,该保护阵列环绕并紧邻于该主动阵列之外,该保护阵列至少包含多数个电晶体,以保护该主动阵列之元件,防止元件之锁死,该多数个电晶体包含至少一列之P型金氧半场效电晶体及至少一列之N型金氧半场效电晶体,环绕于该主动阵列之外。12.如申请专利范围第11项之阵列,其中上述之保护阵列中之该多数个电晶体系与该主动阵列内之电晶体同时形成,且与该主动阵列内之电晶体具有相同之结构。13.如申请专利范围第11项之阵列,其中上述之至少一列之N型金氧半场效电晶体系环绕于该至少一列之P型金氧半场效电晶体之外,两者间以第一隔离区域相间隔;该至少一列之P型金氧半场效电晶体则环绕于该主动阵列之外,两者间以第二隔离区域相间隔。14.如申请专利范围第11项之阵列,其中上述之至少一列之N型金氧半场效电晶体之接点系与一电源相连,且该至少一列之P型金氧半场效电晶体之接点接地。15.如申请专利范围第11项之阵列,其中上述之至少一列之N型金氧半场效电晶体及上述之至少一列之P型金氧半场效电晶体之闸极,系做为参考字元线。16.如申请专利范围第11项之阵列,其中上述之至少一列之N型金氧半场效电晶体及上述之至少一列之P型金氧半场效电晶体之闸极,系与一电源相连或是接地。图式简单说明:第一图显示传统积体电路阵列设计的俯视示意图。第二图显示本发明中积体电路阵列设计的俯视示意图。第三图显示本发明中主动阵列及保护阵列之局部示意图。第四图显示本发明中主动阵列及保护阵列之局部截面示意图。 |
