| 主权项 |
1.一种光学记录媒体之结构,形成于一基板上,该光学记录媒体之结构包括:一第一介电层位在该基板上方,做为阻隔氧气与水气之渗透之用;一染料层位在该第一介电层上方,做为记录资料之用;以及一反射层位在该染料层上方。2.如申请专利范围第1项所述之结构,更包括一第二介电层位在该染料层与该反射层之间。3.如申请专利范围第1项所述之结构,更包括一保护层位在该反射层上方。4.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第一介电层之材料系选自由硫化锌(ZnS)、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)、氧化铝(Al3O2)与三氧化二钽(Ta2O3)所构成之集合。5.如申请专利范围第4项所述之结构,其中该第一介电层之厚度系介于约100到约1000之间。6.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该染料层之材料系选自由花青染料、花青、偶氮金属错体与安定消光剂所构成之集合。7.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该染料层之厚度系介于约1000到约5000之间。8.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该反射层之材料系选自由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)与钛(Ti)所构成之集合。9.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该反射层之厚度系介于约500到约2000之间。10.一种光学记录媒体之制造方法,应用于一基板之上,包括以下步骤:形成第一介电层位在该基板上方,做为阻隔氧气与水气之渗透之用;形成染料层位在该第一介电层上方,做为记录资料之用;以及形成反射层位在该染料层上方。11.如申请专利范围第10项所述之结构,更包括一步骤,形成一第二介电层位在该染料层与该反射层之间。12.如申请专利范围第10项所述之结构,更包括一步骤,形成一保护层位在该反射层上方。13.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该保护层之厚度约1m。14.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该第一介电层之材料系选自由硫化锌(ZnS)、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)、氧化铝(Al3O2)与三氧化二钽(Ta2O3)所构成之集合。15.如申请专利范围第14项所述之结构,其中该第一介电层之厚度系介于约100到约1000之间。16.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该染料层之材料系选自由花青染料、花青、偶氮金属错体与安定消光剂所构成之集合。17.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该染料层之厚度系介于约1000到约5000之间。18.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该反射层之材料系选自由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)与钛(Ti)所构成之集合。19.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该反射层之厚度系介于约500到约2000之间。20.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该染料层系以旋转式涂布法制成。21.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该第一介电层系以溅镀法制成。22.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该反射层系以溅镀法制成。23.如申请专利范围第11项所述之结构,其中该第二介电层系以溅镀法制成。24.一种光学记录媒体之结构,形成于一基板上,该光学记录媒体之结构包括:一第一介电层位在该基板上方,做为阻隔氧气与水气之渗透之用;一染料层位在该第一介电层上方,做为记录资料之用;一第二介电层位在该染料层与该反射层之间,用以防止该染料层经长期照光而蒸发;一反射层位在该染料层上方;以及一保护层位在该反射层上方,用以保护该光学记录媒体。图式简单说明:第一图绘示习知之光学记录媒体之结构剖面图;第二图A到第二图G之中的各图系绘示本发明之结构与用以对照之习知结构的剖面示意图;第三图绘示第二图A至第二图C之结构的光学密度値与照光时间之关系图;第四图绘示第二图D之结构的反射率与照光时间关系图;第五图绘示第二图E之结构的反射率与照光时间关系图;第六图绘示第二图F之结构的反射率与照光时间关系图;以及第七图绘示第二图G之结构的反射率与照光时间关系图。 |
