| 摘要 |
本案系为一种堆叠式电容下电极之制造方法,其包含下列步骤:提供一基板;于该基板上方形成一第一介电层;于该第一介电层上形成一第二介电层;于该第二介电层与该第一介电层上定义形成一接触孔;于该接触孔中与该第二介电层之部份表面上形成一电极构造,该电极构造之材质与该第二介电层之材质间具有高蚀刻选择比;于该电极构造上方与侧壁上以及未被该电极构造所覆盖之该第二介电层之表面上形成一不平坦多晶矽层;对该不平坦多晶矽层进行一第一蚀刻制程,其系用以蚀去厚度较薄之部份不平坦多晶矽层,而能露出部份之该第二介电层之表面;以及利用该电极构造之材质与该第二介电层之材质间具有高蚀刻选择比之特性,对该露出之该第二介电层进行一第二蚀刻制程,用以快速蚀去该第二介电层,进而完成侧壁上具有不平坦多晶矽构造之堆叠式电容下电极。 |
| 主权项 |
1.一种堆叠式电容下电极之制造方法,其包含下列步骤:提供一基板;于该基板上方形成一第一介电层;于该第一介电层上形成一第二介电层;于该第二介电层与该第一介电层上定义形成一接触孔;于该接触孔中与该第二介电层之部份表面上形成一电极构造,该电极构造之材质与该第二介电层之材质间具有高蚀刻选择比;于该电极构造上方与侧壁上以及未被该电极构造所覆盖之该第二介电层之表面上形成一不平坦多晶矽层;对该不平坦多晶矽层进行一第一蚀刻制程,其系用以蚀去厚度较薄之部份不平坦多晶矽层,而能露出部份之该第二介电层之表面;以及利用该电极构造之材质与该第二介电层之材质间具有高蚀刻选择比之特性,对该露出之该第二介电层进行一第二蚀刻制程,用以快速蚀去该第二介电层,进而完成侧壁上具有不平坦多晶矽构造之堆叠式电容下电极。2.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容下电极之制造方法,其中该第一介电层系为一氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容下电极之制造方法,其中该第二介电层系为一磷矽玻璃层(PSG)。4.如申请专利范围第3项所述之堆叠式电容下电极之制造方法,其中该磷矽玻璃层系以一电浆加强化学气相沉积法所完成。5.如申请专利范围第3项所述之堆叠式电容下电极之制造方法,其中该电极构造之材质系以多晶矽所完成。6.如申请专利范围第5项所述之堆叠式电容下电极之制造方法,其中该第二蚀刻制程系以浸泡氢氟酸溶液(HF)所完成。7.如申请专利范围第1项所述之堆叠式电容下电极之制造方法,其中该第一蚀刻制程系以浸泡于一酸液中所进行之湿蚀刻所完成。8.如申请专利范围第7项所述之堆叠式电容下电极之制造方法,其中该酸液之成份为以27.8﹪之硝酸溶液(HNO3)加上15.9﹪之氢氟酸溶液(HF)所构成。9.如申请专利范围第7项所述之堆叠式电容下电极之制造方法,其中该酸液之成份为浓度86﹪之磷酸溶液(H3PO4)所构成。 |
